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公开(公告)号:CN110392955B
公开(公告)日:2022-03-08
申请号:CN201880017572.7
申请日:2018-03-01
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
Abstract: 蓄电设备(30)具备:第1氧化物半导体层(14),其具有第1导电型的第1氧化物半导体;第1充电层(16),其配置于第1氧化物半导体层(14)上、且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成;和,第3氧化物半导体层(24),其配置于第1充电层(16)上。第3氧化物半导体层(24)具有氢、和第2导电型的第3氧化物半导体,氢相对于构成第3氧化物半导体的金属的比率为40%以上。提供能增大每单位体积(重量)的蓄电容量的蓄电设备。
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公开(公告)号:CN104380513A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201380022417.1
申请日:2013-04-25
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 , 刮拉技术有限公司
CPC classification number: H01M10/0431 , H01M2/263 , H01M10/045 , H01M10/0454 , H01M10/0459 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/0583 , H01M14/005 , Y02E60/122 , Y02P70/54
Abstract: 提供一种适用了由正极层和负极层夹着蓄电层的全固体型的二次电池结构的、从容积方面、制造方面、定位方面等一个以上的观点来看都比以往良好的二次电池。本发明的二次电池的特征在于,适用将片状的单层二次电池折叠成两折或者四折的弯曲结构的单层二次电池,所述片状的单层二次电池的蓄电层由正电极层以及负电极层夹着。在此,优选为,使弯曲结构的多个单层二次电池并列设置,使相邻的弯曲结构的单层二次电池间直接电接触、或通过正极端子构件或者负极端子构件而接触,以实现电流容量的增大化以及端子电压的高压化的至少一方。
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公开(公告)号:CN109564970B
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN201780047913.0
申请日:2017-07-21
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
IPC: H01L49/00
Abstract: 本发明的二次电池设置有:第一电极(11);第二电极(17);充电层(14),布置在第一电极(11)和第二电极(17)之间并且含有绝缘材料与第一n型氧化物半导体材料的混合物;n型氧化物半导体层(13),布置在充电层(14)与第一电极(11)之间并且含有第二n型氧化物半导体材料;p型氧化物半导体层(16),布置在充电层(14)与第二电极(17)之间并且含有p型氧化物半导体材料;混合物层(15),布置在充电层(14)与p型氧化物半导体层(16)之间并且含有氧化硅与第三n型氧化物半导体材料的混合物;和导电层(12),布置在第一电极(11)与n型氧化物半导体层(13)之间并且含有金属材料。
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公开(公告)号:CN109564970A
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201780047913.0
申请日:2017-07-21
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
IPC: H01L49/00
Abstract: 本发明的二次电池设置有:第一电极(11);第二电极(17);充电层(14),布置在第一电极(11)和第二电极(17)之间并且含有绝缘材料与第一n型氧化物半导体材料的混合物;n型氧化物半导体层(13),布置在充电层(14)与第一电极(11)之间并且含有第二n型氧化物半导体材料;p型氧化物半导体层(16),布置在充电层(14)与第二电极(17)之间并且含有p型氧化物半导体材料;混合物层(15),布置在充电层(14)与p型氧化物半导体层(16)之间并且含有氧化硅与第三n型氧化物半导体材料的混合物;和导电层(12),布置在第一电极(11)与n型氧化物半导体层(13)之间并且含有金属材料。
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公开(公告)号:CN104221200A
公开(公告)日:2014-12-17
申请号:CN201380019149.8
申请日:2013-04-05
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 , 刮拉技术有限公司
CPC classification number: H01M2/204 , H01G11/12 , H01G11/76 , H01M2/266 , H01M10/0413 , H01M10/0585 , H01M2220/30 , Y02E60/13 , H01M10/0436 , H01M10/052
Abstract: 提供一种小型且能提升每单位容积的电流容量的二次电池。本发明为一种二次电池,其特征为:具备两个电池部,所述电池部在第一电极层与第二电极层之间具有充电层,使其中一个电池部及另一个电池部彼此的第一电极层相邻连接,或使其中一个电池部及另一个电池部彼此的第二电极层相邻连接,使其中一个电池部及另一个电池部彼此的第二电极层配线连接,或使其中一个电池部及另一个电池部彼此的第一电极层配线连接,使两个电池部并联连接。
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公开(公告)号:CN110392955A
公开(公告)日:2019-10-29
申请号:CN201880017572.7
申请日:2018-03-01
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
Abstract: 蓄电设备(30)具备:第1氧化物半导体层(14),其具有第1导电型的第1氧化物半导体;第1充电层(16),其配置于第1氧化物半导体层(14)上、且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成;和,第3氧化物半导体层(24),其配置于第1充电层(16)上。第3氧化物半导体层(24)具有氢、和第2导电型的第3氧化物半导体,氢相对于构成第3氧化物半导体的金属的比率为40%以上。提供能增大每单位体积(重量)的蓄电容量的蓄电设备。
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公开(公告)号:CN104380513B
公开(公告)日:2017-07-04
申请号:CN201380022417.1
申请日:2013-04-25
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 , 刮拉技术有限公司
CPC classification number: H01M10/0431 , H01M2/263 , H01M10/045 , H01M10/0454 , H01M10/0459 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/0583 , H01M14/005 , Y02E60/122 , Y02P70/54
Abstract: 提供一种适用了由正极层和负极层夹着蓄电层的全固体型的二次电池结构的、从容积方面、制造方面、定位方面等一个以上的观点来看都比以往良好的二次电池。本发明的二次电池的特征在于,适用将片状的单层二次电池折叠成两折或者四折的弯曲结构的单层二次电池,所述片状的单层二次电池的蓄电层由正电极层以及负电极层夹着。在此,优选为,使弯曲结构的多个单层二次电池并列设置,使相邻的弯曲结构的单层二次电池间直接电接触、或通过正极端子构件或者负极端子构件而接触,以实现电流容量的增大化以及端子电压的高压化的至少一方。
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公开(公告)号:CN104221200B
公开(公告)日:2018-11-02
申请号:CN201380019149.8
申请日:2013-04-05
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 , 刮拉技术有限公司
Abstract: 提供一种小型且能提升每单位容积的电流容量的二次电池。本发明为一种二次电池,其特征为:具备两个电池部,所述电池部在第一电极层与第二电极层之间具有充电层,使其中一个电池部及另一个电池部彼此的第一电极层相邻连接,或使其中一个电池部及另一个电池部彼此的第二电极层相邻连接,使其中一个电池部及另一个电池部彼此的第二电极层配线连接,或使其中一个电池部及另一个电池部彼此的第一电极层配线连接,使两个电池部并联连接。
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公开(公告)号:CN107851610A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201680045200.6
申请日:2016-06-20
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06
CPC classification number: H01M10/0431 , H01L21/77 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06
Abstract: 提供一种能够在多个芯片上同时且均匀地制造氧化物半导体二次电池的制造方法。其为在电路上层叠有层叠第一电极(52)、充电功能层(54、56、58)和第二电极(60)而成的氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法,具备:层叠工序,其相对于对应于形成于晶片(20)上的多个芯片22的各芯片(22)的区域不是单个地形成氧化物半导体二次电池、而是相对于对应于多个芯片(22)的区域一体地层叠并形成氧化物半导体二次电池;以及,分割工序,其相对于一体地形成的氧化物半导体二次电池,进行保留对应于各芯片(22)的区域、除去不对应于各芯片(22)的其它区域的图案蚀刻,从而分隔为对应于各芯片(22)的单个氧化物半导体二次电池(50-1、50-2)。
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公开(公告)号:CN104428899B
公开(公告)日:2017-10-03
申请号:CN201280073767.6
申请日:2012-06-06
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 , 刮拉技术有限公司
CPC classification number: H01M14/005 , H01L31/022425 , H01L49/006 , H01M10/425 , H01M10/465 , H02J7/324
Abstract: 本发明提供一种防止在层叠不同热膨胀系数的绝缘树脂与金属电极时由于制造过程中的加热而导致金属电极中产生裂纹的电极结构。在层叠于由绝缘树脂制成的半导体电路基板的电极中,其电极结构由主电极(70)和辅助电极(74)构成,所述主电极(70)设置有切除其一部分而形成的狭缝,从而防止在制造过程中因与所述基板的热膨胀系数的不同而产生裂纹,所述辅助电极(74)覆盖上述主电极的狭缝。在其中主电极的狭缝与辅助电极的狭缝重叠的部分没有设置狭缝,而是形成架桥,由此消除不存在电极的空隙部分。
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