公开(公告)号：CN114072912A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201980097998.2

申请日：2019-10-11

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK电子器件株式会社

Inventor： 间濑淳 ,  伊藤阳彦

IPC: H01L27/146

Abstract: 封装体(800)具有：安设面(SM)，其供安装电子部件(902)；腔室(CV)，其位于安设面(SM)上；及安装面(SF)，其供安装用于密封腔室(CV)的盖体(907)。封装体(800)包括：基部(810)，由陶瓷构成且具有腔室(CV)；及布线部(820)，从基部(810)的腔室(CV)延伸并贯通基部(810)。基部(810)包括底部(811)和框部(812)。底部(811)具有安设面(SM)，该安设面(SM)具有将具有10mm以上的长边的长方形包含在内的大小。框部(812)在底部(811)上以包围腔室(CV)的方式设置于安设面(SM)的外侧，并具有陶瓷的烧成面作为安装面(SF)。

公开(公告)号：CN112867228A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202010954233.0

申请日：2020-09-11

Applicant: NGK电子器件株式会社 ,  日本碍子株式会社

Inventor： 绪方孝友 ,  伊藤阳彦

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K3/00

Abstract: 本发明提供一种能够降低贯通绝缘层的贯通导体部的电阻的陶瓷布线基板以及陶瓷布线基板的制造方法。第一绝缘层的第一周缘部设置在第一绝缘层的第一贯通孔部的周围。第一绝缘层的第一平板部设置在第一周缘部的周围，并具有第一厚度的平板形状。第一贯通导体部设置在第一贯通孔部中。第一导体层设置在第一绝缘层的第一面上，且与第一贯通导体部连接。第二导体层设置在第一绝缘层的第二面上，且与第一贯通导体部连接。第一周缘部在至少一个剖视图中，具有在从第一平板部向第一贯通孔部的方向上连续地减少的厚度和比第一平板部的第一厚度大的第一宽度。

公开(公告)号：CN114026968B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202080047926.X

申请日：2020-12-09

Applicant: NGK电子器件株式会社 ,  日本碍子株式会社

Inventor： 山本哲也 ,  绪方孝友 ,  伊藤阳彦

IPC: H05K1/09

Abstract: 布线基板(90)包含：绝缘体层(11、12)，由含有氧化铝的陶瓷构成；以及导电层(21～23)，设置在绝缘体层(11、12)上。导电层(21～23)包含：多个芯部(71)，分散于导电层中，并含有钼；以及包覆部(72)，包覆多个芯部(71)各自的表面，并含有钨。包覆部(72)与芯部(71)相比，具有更低的钼浓度和更高的钨浓度。

公开(公告)号：CN114072912B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN201980097998.2

申请日：2019-10-11

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK电子器件株式会社

Inventor： 间濑淳 ,  伊藤阳彦

IPC: H01L27/146

Abstract: 封装体(800)具有：安设面(SM)，其供安装电子部件(902)；腔室(CV)，其位于安设面(SM)上；及安装面(SF)，其供安装用于密封腔室(CV)的盖体(907)。封装体(800)包括：基部(810)，由陶瓷构成且具有腔室(CV)；及布线部(820)，从基部(810)的腔室(CV)延伸并贯通基部(810)。基部(810)包括底部(811)和框部(812)。底部(811)具有安设面(SM)，该安设面(SM)具有将具有10mm以上的长边的长方形包含在内的大小。框部(812)在底部(811)上以包围腔室(CV)的方式设置于安设面(SM)的外侧，并具有陶瓷的烧成面作为安装面(SF)。

公开(公告)号：CN114026968A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202080047926.X

申请日：2020-12-09

Applicant: NGK电子器件株式会社 ,  日本碍子株式会社

Inventor： 山本哲也 ,  绪方孝友 ,  伊藤阳彦

IPC: H05K1/09

Abstract: 布线基板(90)包含：绝缘体层(11、12)，由含有氧化铝的陶瓷构成；以及导电层(21～23)，设置在绝缘体层(11、12)上。导电层(21～23)包含：多个芯部(71)，分散于导电层中，并含有钼；以及包覆部(72)，包覆多个芯部(71)各自的表面，并含有钨。包覆部(72)与芯部(71)相比，具有更低的钼浓度和更高的钨浓度。

公开(公告)号：CN108025982B

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201780002583.3

申请日：2017-06-15

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK电子器件株式会社

Inventor： 河野浩 ,  梅田勇治 ,  伊藤阳彦

IPC: C04B35/119

Abstract: 一种陶瓷基体，结晶相以Al2O3和ZrO2为主晶相，含有MgAl2O4和BaAl2Si2O8。X射线衍射图案中，相对于ZrO2的单斜晶相和正方晶相各自的峰强度之和，前述单斜晶相峰强度的比例低于0.1％。

公开(公告)号：CN108025982A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201780002583.3

申请日：2017-06-15

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK电子器件株式会社

Inventor： 河野浩 ,  梅田勇治 ,  伊藤阳彦

IPC: C04B35/119

CPC classification number: C04B35/119

Abstract: 一种陶瓷基体，结晶相以Al2O3和ZrO2为主晶相，含有MgAl2O4和BaAl2Si2O8。X射线衍射图案中，相对于ZrO2的单斜晶相和正方晶相各自的峰强度之和，前述单斜晶相峰强度的比例低于0.1％。

公开(公告)号：CN106458762A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480078508.1

申请日：2014-12-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 梅田勇治 ,  伊藤阳彦

IPC: C04B35/111 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷基体及其制造方法。结晶相以Al2O3为主结晶相，除此以外，仅包含ZrO2结晶相。包含：按Al2O3换算计为89.0～92.0质量％的Al、按SiO2换算计为2.0～5.0质量％的Si、按MnO换算计为2.0～5.0质量％的Mn、按MgO换算计为0～2.0质量％的Mg、按ZrO2换算计为0.05～2.0质量％的Zr。

公开(公告)号：CN107001147B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201580066723.4

申请日：2015-12-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 河野浩 ,  梅田勇治 ,  伊藤阳彦

IPC: C04B35/111 ,  H01L23/15 ,  H05K1/03 ,  H05K3/12

Abstract: 本发明涉及陶瓷基体及其制造方法。陶瓷基体的结晶相以Al2O3及ZrO2为主结晶相，除此以外，包含Mn3Al2(SiO4)3或MgAl2O4，且弯曲强度为650MPa以上，杨氏模量为300GPa以下。

公开(公告)号：CN107409472A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680016103.4

申请日：2016-03-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 梅田勇治 ,  伊藤阳彦

IPC: H05K3/46 ,  C04B35/111 ,  C04B37/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38

Abstract: 本发明涉及配线基板。配线基板(12)是具有绝缘基板(18)、配置在该绝缘基板(18)表面的表面配线层(20、22)、以及配置在所述绝缘基板(18)内部的内部配线层(24)的配线基板(12)；绝缘基板(18)的结晶相至少以Al2O3或含有Al2O3的化合物为主晶相，Al2O3的晶体粒径小于1.5μm，表面配线层和内部配线层含有铜和钨、或者铜和钼、或者铜和钨及钼，钨和钼的粒径小于1.0μm，表面配线层及内部配线层的表面粗糙度Ra小于2.5μm。