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公开(公告)号：CN101353259B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200810134061.1
申请日：2008-07-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/634
CPC classification number: H05K3/101 , C04B35/4682 , C04B35/632 , C04B35/6342 , C04B35/63424 , C04B35/63456 , C04B37/008 , C04B2235/36 , C04B2235/6023 , C04B2237/346 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K1/095 , H05K3/0014 , H05K3/207 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K2201/0209 , H05K2201/09118
Abstract: 本发明涉及陶瓷成型体、陶瓷部件、陶瓷成型体的制造方法以及陶瓷部件的制造方法。本发明的陶瓷成型体(10B)具有导体成型体(12)，通过以披覆导体成型体(12)的方式涂布混合了热固性树脂前体和陶瓷粉末以及溶剂的浆料(18)之后，进行固化来得到该陶瓷成型体。陶瓷成型体(10B)所含有的热固性树脂，通过使具有异氰酸酯基或异硫氰酸酯基的胶凝剂与具有羟基的高分子进行反应固化来得到。具有羟基的高分子优选为丁醛树脂、或乙基纤维素系树脂、或聚乙二醇系树脂或聚醚系树脂。
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公开(公告)号：CN1240635C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN00137449.4
申请日：1996-12-21
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种Li2O-Al2O3-SiO2系结晶玻璃，它含有SiO2：65-85wt%、Li2O：8-15wt%、Al2O3：2-8wt%、P2O5：1-5wt%、ZrO2：1-10wt%，主结晶相焦硅酸锂(Li2O·2SiO2)，基本上不含MgO。其制法是对含上述组成的原料玻璃在最高温度为680℃-770℃进行加热处理，使其结晶化。本发明还提供磁盘用基片和磁盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1369883A
公开(公告)日：2002-09-18
申请号：CN02103438.9
申请日：2002-02-05
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01G4/0085 , H01P11/007 , H05K1/092 , H05K3/4629
Abstract: 本发明提供一种电子部件及其制造方法,该方法可以有效降低电介质基板内形成电极时,电介质基板烧成时和烧成后结构缺欠的发生。其工序是,准备在Ag粉末40的表面上包覆氧化铝42构成的材料44,由该材料44调制导体糊,使用例如丝网印刷将该导体糊在电介质层上形成,形成由上述导体糊构成的电极图形。此时Ag粉末40的BET比表面积为0.05～2m2/g,氧化铝包覆量,按氧化物换算,为0.01～2%程度。
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公开(公告)号：CN1158472A
公开(公告)日：1997-09-03
申请号：CN96123896.8
申请日：1996-12-21
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G11B5/84
Abstract: 本发明提供一种磁盘用基片，具有玻璃制磁盘用基片本体，其特征在于，此磁盘用基片本体至少在表面区域含有吸收光的金属元素，而且在此磁盘用基片本体的表面上形成纹理。向磁盘用基片表面区域内扩散金属元素的离子，或者在构成磁盘用基片的玻璃成分中，以氧化物形式含有金属元素。作为此玻璃，以Li2O-Al2O3-SiO2系的结晶玻璃为好，特别是，以组成是SiO2：65-85wt％、Li2O：8-15wt％、Al2O3：2-8wt％、P2O5：1-5wt％、ZrO2：1-10wt％，主结晶相是焦硅酸锂(Li2O·2SiO2)为好。
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公开(公告)号：CN101353259A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810134061.1
申请日：2008-07-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/634
CPC classification number: H05K3/101 , C04B35/4682 , C04B35/632 , C04B35/6342 , C04B35/63424 , C04B35/63456 , C04B37/008 , C04B2235/36 , C04B2235/6023 , C04B2237/346 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K1/095 , H05K3/0014 , H05K3/207 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K2201/0209 , H05K2201/09118
Abstract: 本发明涉及陶瓷成型体、陶瓷部件、陶瓷成型体的制造方法以及陶瓷部件的制造方法。本发明的陶瓷成型体(10B)具有导体成型体(12)，通过以披覆导体成型体(12)的方式涂布混合了热固性树脂前体和陶瓷粉末以及溶剂的浆料(18)之后，进行固化来得到该陶瓷成型体。陶瓷成型体(10B)所含有的热固性树脂，通过使具有异氰酸酯基或异硫氰酸酯基的胶凝剂与具有羟基的高分子进行反应固化来得到。具有羟基的高分子优选为丁醛树脂、或乙基纤维素系树脂、或聚乙二醇系树脂或聚醚系树脂。
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公开(公告)号：CN1190799C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN02103438.9
申请日：2002-02-05
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01G4/0085 , H01P11/007 , H05K1/092 , H05K3/4629
Abstract: 本发明提供一种电子部件及其制造方法，该方法可以有效降低电介质基板内形成电极时，电介质基板烧成时和烧成后结构缺欠的发生。其工序是，准备在Ag粉末40的表面上包覆氧化铝42构成的材料44，由该材料44调制导体糊，使用例如丝网印刷将该导体糊在电介质层上形成，形成由上述导体糊构成的电极图形。此时Ag粉末40的BET比表面积为0.05～2m2/g，氧化铝包覆量，按氧化物换算，为0.01～2%程度。
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公开(公告)号：CN1313254A
公开(公告)日：2001-09-19
申请号：CN00137449.4
申请日：1996-12-21
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种Li2O－Al2O3－SiO2系结晶玻璃,它含有SiO2:65－85wt%、Li2O:8－15wt%、Al2O3:2－8wt%、P2O5:1－5wt%、ZrO2:1－10wt%,主结晶相焦硅酸锂(Li2O·2SiO2),基本上不含MgO。其制法是对含上述组成的原料玻璃在最高温度为680℃－770℃进行加热处理,使其结晶化。本发明还提供磁盘用基片和磁盘。
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