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公开(公告)号：CN107710500A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680036151.X
申请日：2016-06-24
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供一种具备抑制与光波导交叉的高频布线中的阻抗变化、电的过量损失发生的结构的高频线路。高频线路为微带线，其基本结构是在SI-InP基板(301)上依次层叠接地电极(302)、电介质层(304)、信号电极(305)而成。另外，如横向剖视图所示，在横切高频线路(305)的形态下，交叉着InP类半导体的光波导芯(303)。沿着高频线路的传输方向，在包含光波导交叉的固定区域内，使信号电极(305)的宽度局部扩大。在微带线中，信号电极(305)的宽度的局部从w1扩大至w2，相比宽度为均匀的w1，使特性阻抗降低。该宽度w2的第二信号电极部(325)的长度l2被设定为远短于所输入的高频电信号的波长的长度。
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公开(公告)号：CN102047582A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980120603.2
申请日：2009-06-19
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: H04B7/084 , H04B7/0845 , H04L2027/0067
Abstract: 将输入到单个或多个端口的信号作为多个接收信号进行接收的接收装置，具有：相位偏移推定部，基于在接收信号中包含的每个信号块的唯一字，推定相位偏移；以及相位偏移补偿部，基于推定的每个信号块的相位偏移进行补偿，通过使用在频域中被均衡了的信号中包含的已知信号成分(唯一字)进行相位偏移的补偿，从而补偿复杂的相位偏移的变动，对在各接收端口获得的信号，分别进行相位偏移的推定。
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公开(公告)号：CN102047582B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN200980120603.2
申请日：2009-06-19
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: H04B7/084 , H04B7/0845 , H04L2027/0067
Abstract: 将输入到单个或多个端口的信号作为多个接收信号进行接收的接收装置，具有：相位偏移推定部，基于在接收信号中包含的每个信号块的唯一字，推定相位偏移；以及相位偏移补偿部，基于推定的每个信号块的相位偏移进行补偿，通过使用在频域中被均衡了的信号中包含的已知信号成分(唯一字)进行相位偏移的补偿，从而补偿复杂的相位偏移的变动，对在各接收端口获得的信号，分别进行相位偏移的推定。
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公开(公告)号：CN101133355B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200680006437.X
申请日：2006-03-08
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2201/07 , G02F2202/102
Abstract: 提供一种具有n-i-n结构半导体光调制器的特点、又能稳定工作，而且对电场的耐压性优良的半导体光调制器。其包括依次层叠n型InP包层(11)、具有电光效应的半导体芯层(13)、p-InAlAs层(15)、以及n型InP包层(16)而形成的波导结构。p-InAlAs层(15)的电子亲和力小于n型InP包层(16)的电子亲和力。在如此构成的波导结构中，还可以分别在n型InP包层(11)和半导体芯层(13)之间设置未掺杂的InP包层(12)，在半导体芯层(13)和p-InAlAs层(15)之间设置未掺杂的InP包层(14)。
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公开(公告)号：CN107710500B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201680036151.X
申请日：2016-06-24
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供一种具备抑制与光波导交叉的高频布线中的阻抗变化、电的过量损失发生的结构的高频线路。高频线路为微带线，其基本结构是在SI‑InP基板上依次层叠接地电极、电介质层、信号电极而成。另外，如横向剖视图所示，在横切高频线路的形态下，交叉着InP类半导体的光波导芯。沿着高频线路的传输方向，在包含光波导交叉的一定区域内，使信号电极的宽度局部扩大。在微带线中，信号电极的宽度的局部从w1扩大至w2，相比宽度为均匀的w1，使特性阻抗降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102033333A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010573435.7
申请日：2006-03-08
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/017
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2201/07 , G02F2202/102
Abstract: 提供一种具有n-i-n结构半导体光调制器的特点、又能稳定工作，而且对电场的耐压性优良的半导体光调制器。其包括依次层叠n型InP包层(11)、具有电光效应的半导体芯层(13)、p-InAlAs层(15)、以及n型InP包层(16)而形成的波导结构。p-InAlAs层(15)的电子亲和力小于n型InP包层(16)的电子亲和力。在如此构成的波导结构中，还可以分别在n型InP包层(11)和半导体芯层(13)之间设置未掺杂的InP包层(12)，在半导体芯层(13)和p-InAlAs层(15)之间设置未掺杂的InP包层(14)。
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公开(公告)号：CN101946438B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200980104811.3
申请日：2009-02-20
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: H04B10/69 , H04L25/0305 , H04L25/03159 , H04L27/2647 , H04L27/2697
Abstract: 实现高性能的光OFDM接收器。一种副载波分离电路，接收由2个副载波A和B构成的光OFDM信号并对副载波成分进行分离，其中，射入接收信号光和本地振荡光并转换为基带电信号，将该基带电信号转换为数字信号，以上述副载波A的中心频率变为零的方式对该转换后的数字信号进行频移，对该频移了的信号和将上述频移了的信号延迟1/2符号时间后的信号进行相加，分离上述副载波A的成分。
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公开(公告)号：CN102033333B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010573435.7
申请日：2006-03-08
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/017
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2201/07 , G02F2202/102
Abstract: 提供一种具有n-i-n结构半导体光调制器的特点、又能稳定工作，而且对电场的耐压性优良的半导体光调制器。其包括依次层叠n型InP包层(11)、具有电光效应的半导体芯层(13)、p-InAlAs层(15)、以及n型InP包层(16)而形成的波导结构。p-InAlAs层(15)的电子亲和力小于n型InP包层(16)的电子亲和力。在如此构成的波导结构中，还可以分别在n型InP包层(11)和半导体芯层(13)之间设置未掺杂的InP包层(12)，在半导体芯层(13)和p-InAlAs层(15)之间设置未掺杂的InP包层(14)。
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公开(公告)号：CN101946438A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980104811.3
申请日：2009-02-20
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: H04B10/69 , H04L25/0305 , H04L25/03159 , H04L27/2647 , H04L27/2697
Abstract: 实现高性能的光OFDM接收器。一种副载波分离电路，接收由2个副载波A和B构成的光OFDM信号并对副载波成分进行分离，其中，射入接收信号光和本地振荡光并转换为基带电信号，将该基带电信号转换为数字信号，以上述副载波A的中心频率变为零的方式对该转换后的数字信号进行频移，对该频移了的信号和将上述频移了的信号延迟1/2符号时间后的信号进行相加，分离上述副载波A的成分。
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公开(公告)号：CN101133355A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200680006437.X
申请日：2006-03-08
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2201/07 , G02F2202/102
Abstract: 提供一种具有n－i－n结构半导体光调制器的特点、又能稳定工作，而且对电场的耐压性优良的半导体光调制器。其包括依次层叠n型InP包层(11)、具有电光效应的半导体芯层(13)、p－InAlAs层(15)、以及n型InP包层(16)而形成的波导结构。p－InAlAs层(15)的电子亲和力小于n型InP包层(16)的电子亲和力。在如此构成的波导结构中，还可以分别在n型InP包层(11)和半导体芯层(13)之间设置未掺杂的InP包层(12)，在半导体芯层(13)和p－InAlAs层(15)之间设置未掺杂的InP包层(14)。
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