公开(公告)号：CN102623544A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210017208.5

申请日：2012-01-19

Applicant: NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

Inventor： 土居芳行 ,  村本好史 ,  大山贵晴

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/105 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种光半导体装置，该光半导体装置充分降低了光接收元件间的串扰(漏电流)、小型且简单。如果使用根据本发明的光半导体装置，则由于背面电极是镜面状的薄膜，所以可以容易地抑制对相邻的光接收元件的串扰，减少光半导体装置的光强度检测时的误差。另外，通过在整个背面上在构图了的背面电极或绝缘膜的底面上设置欧姆电极，可以减小背面上的接触电阻。另外，通过使用二维地配置的光半导体元件和使背面电极为镜面状的薄膜，可以改善串扰。另外，通过在具有高气密性的状态下被收存于框体，保护光半导体元件免受外部环境影响，耐湿性优良，能够确保高可靠性。

公开(公告)号：CN102623544B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201210017208.5

申请日：2012-01-19

Applicant: NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

Inventor： 土居芳行 ,  村本好史 ,  大山贵晴

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/105 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种光半导体装置，该光半导体装置充分降低了光接收元件间的串扰(漏电流)、小型且简单。如果使用根据本发明的光半导体装置，则由于背面电极是镜面状的薄膜，所以可以容易地抑制对相邻的光接收元件的串扰，减少光半导体装置的光强度检测时的误差。另外，通过在整个背面上在构图了的背面电极或绝缘膜的底面上设置欧姆电极，可以减小背面上的接触电阻。另外，通过使用二维地配置的光半导体元件和使背面电极为镜面状的薄膜，可以改善串扰。另外，通过在具有高气密性的状态下被收存于框体，保护光半导体元件免受外部环境影响，耐湿性优良，能够确保高可靠性。

公开(公告)号：CN100392445C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200380107720.8

申请日：2003-12-25

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 桥本俊和 ,  北川毅 ,  铃木扇太 ,  柳泽雅弘 ,  柴田知寻 ,  神德正树 ,  高桥浩 ,  长濑亮 ,  小林胜 ,  浅川修一郎 ,  阿部宜辉 ,  鬼头勤 ,  大山贵晴 ,  小川育生

IPC: G02B6/13

Abstract: 在波动传输媒体上设置输入端口和输出端口，利用数值计算求出从输入端口入射的传播光的场分布(1)(顺传播光)和使从输入端口入射的光信号从输出端口输出时所期待的出射场从输出端口侧逆传播的相位共轭光的场分布(2)(逆传播光)。然后，以这些场分布(1)和(2)为基础按照消除传播光与逆传播光在各点(x，y)的相位差的方式求出媒体中的空间的折射率分布。

公开(公告)号：CN1732398A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200380107720.8

申请日：2003-12-25

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 桥本俊和 ,  北川毅 ,  铃木扇太 ,  柳泽雅弘 ,  柴田知寻 ,  神德正树 ,  高桥浩 ,  长濑亮 ,  小林胜 ,  浅川修一郎 ,  阿部宜辉 ,  鬼头勤 ,  大山贵晴 ,  小川育生

IPC: G02B6/13

Abstract: 在波动传输媒体上设置输入端口和输出端口，利用数值计算求出从输入端口入射的传播光的场分布(1)(顺传播光)和使从输入端口入射的光信号从输出端口输出时所期待的出射场从输出端口侧逆传播的相位共轭光的场分布(2)(逆传播光)。然后，以这些场分布(1)和(2)为基础按照消除传播光与逆传播光在各点(x，y)的相位差的方式求出媒体中的空间的折射率分布。

公开(公告)号：CN202817007U

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201220025472.9

申请日：2012-01-19

Applicant: NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

Inventor： 土居芳行 ,  村本好史 ,  大山贵晴

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/105 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本实用新型提供一种光半导体装置，该光半导体装置包括：导电性半导体衬底、在上述导电性半导体衬底上形成的光吸收层、和在上述光吸收层上形成的导电性半导体层，其特征在于：上述导电性半导体层通过具有多个与上述导电性半导体衬底相反的导电类型的扩散区，而在上述光半导体装置中形成阵列状的光接收元件；在上述导电性半导体衬底的底部具有镜面状的薄膜。该光半导体装置充分降低了光接收元件间的串扰、小型且简单，并且可以容易地抑制对相邻的光接收元件的串扰，减少光半导体装置的光强度检测时的误差外，减小背面上的接触电阻，改善串扰，保护光半导体元件免受外部环境影响，耐湿性优良，能够确保高可靠性。