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公开(公告)号:CN111567139A
公开(公告)日:2020-08-21
申请号:CN201980007526.3
申请日:2019-11-13
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
IPC: H05B3/12 , H01L21/683 , H05B3/02 , H05B3/74
Abstract: 一种保持装置及保持装置的制造方法,保持装置抑制由在发热电阻器的表面形成变质层引起的发热电阻器的电阻值(发热量)的偏差。保持装置具备:陶瓷构件,由以氮化铝为主要成分的陶瓷烧结体形成;金属制的发热电阻器,配置于陶瓷构件的内部;及导电性的供电构件,与发热电阻器接触,该保持装置是将对象物保持在陶瓷构件的表面上的装置。在本保持装置中,发热电阻器的表面中除了与供电构的接触面以外的表面的至少一部分被由氮化物形成的涂层覆盖,该氮化物含有Al、Ti、Zr、V、Ta和Nb中的至少1种。
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公开(公告)号:CN106045514A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610210150.4
申请日:2016-04-06
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
CPC classification number: C04B35/50 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , G01K7/22 , H01C7/023 , H01C7/043
Abstract: 本发明提供一种导电性氧化物烧结体、用其的热敏电阻元件及温度传感器,在现有技术中担心无法满足近年来的高耐热性要求。本发明的导电性氧化物烧结体具有以M1aM2bMncAldCreOf(M1为3族元素中的一种以上,M2为Mg、Ca、Sr、Ba中的一种以上)表示的钙钛矿型氧化物晶体结构。元素M1主要包含从Nd、Pr、Sm中选出的一种以上的元素,a、b、c、d、e、f满足0.600≤a<1.000、0<b≤0.400、0≤c<0.150、0.400≤d<0.950、0.050<e≤0.600、0.50<e/(c+e)≤1.00、2.80≤f≤3.30。
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公开(公告)号:CN102417348B
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:CN201110240876.X
申请日:2011-08-17
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
IPC: H01C7/02 , C04B35/10 , C04B35/622 , G01K7/22
CPC classification number: H01C7/008 , C04B35/016 , C04B35/44 , C04B35/6262 , C04B35/62645 , C04B35/62695 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3267 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6567 , C04B2235/768 , C04B2235/80 , G01K7/223 , H01B1/08
Abstract: 本发明提供能够在宽温度范围内适宜地进行温度检测、即使暴露于高温下也显示稳定的电阻值的导电性氧化物烧结体、使用其的热敏电阻元件、使用该热敏电阻元件的温度传感器。构成热敏电阻元件2的导电性氧化物烧结体1包含:将由Yb、Lu的至少一个以及除Yb、Lu、La以外的3A族元素中的至少1种组成的元素组作为元素组RE,将4A、5A、6A、7A及8族元素中的至少1种及Al组成的元素组作为元素组M时,以(RE1-cSrc)MdO3表示的导电性晶相,以RE2O3表示的第1绝缘性晶相,和以SrAl2O4表示的第2绝缘性晶相。系数c为0.18<c<0.50,系数d为0.67≤d≤0.93,以RE4Al2O9表示的第3绝缘性晶相的存在量(包括0)比第1绝缘性晶相以及第2绝缘性晶相的存在量都少。
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公开(公告)号:CN102417348A
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN201110240876.X
申请日:2011-08-17
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , H01C7/02 , G01K7/22
CPC classification number: H01C7/008 , C04B35/016 , C04B35/44 , C04B35/6262 , C04B35/62645 , C04B35/62695 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3267 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6567 , C04B2235/768 , C04B2235/80 , G01K7/223 , H01B1/08
Abstract: 本发明提供能够在宽温度范围内适宜地进行温度检测、即使暴露于高温下也显示稳定的电阻值的导电性氧化物烧结体、使用其的热敏电阻元件、使用该热敏电阻元件的温度传感器。构成热敏电阻元件2的导电性氧化物烧结体1包含:将由Yb、Lu的至少一个以及除Yb、Lu、La以外的3A族元素中的至少1种组成的元素组作为元素组RE,将4A、5A、6A、7A及8族元素中的至少1种及Al组成的元素组作为元素组M时,以(RE1-cSrc)MdO3表示的导电性晶相,以RE2O3表示的第1绝缘性晶相,和以SrAl2O4表示的第2绝缘性晶相。系数c为0.18<c<0.50,系数d为0.67≤d≤0.93,以RE4Al2O9表示的第3绝缘性晶相的存在量(包括0)比第1绝缘性晶相以及第2绝缘性晶相的存在量都少。
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公开(公告)号:CN113543908B
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202080017912.3
申请日:2020-03-11
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
IPC: B22F1/12 , B22F1/16 , B22F3/00 , C22C38/02 , C22C38/18 , C22C38/34 , B22F3/02 , B22F3/24 , H01F1/24
Abstract: 抑制压粉磁芯的铁损。压粉磁芯(1)是具备平均粒径为5μm以上且30μm以下的软磁性金属颗粒(3)、以及晶界相(6)而成的。晶界相(6)包含含有Al(铝)的多晶化合物而构成。并且,观察压粉磁芯(1)的截面结构时,α‑Al2O3在晶界相(6)中所占的面积比率为75%以下。此外,晶界相(6)的平均厚度Ta为10nm以上且300nm以下。根据本发明,铁损受到抑制。
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公开(公告)号:CN111567139B
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN201980007526.3
申请日:2019-11-13
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
IPC: H01L21/683 , H05B3/12 , H05B3/02 , H05B3/74
Abstract: 一种保持装置及保持装置的制造方法,保持装置抑制由在发热电阻器的表面形成变质层引起的发热电阻器的电阻值(发热量)的偏差。保持装置具备:陶瓷构件,由以氮化铝为主要成分的陶瓷烧结体形成;金属制的发热电阻器,配置于陶瓷构件的内部;及导电性的供电构件,与发热电阻器接触,该保持装置是将对象物保持在陶瓷构件的表面上的装置。在本保持装置中,发热电阻器的表面中除了与供电构的接触面以外的表面的至少一部分被由氮化物形成的涂层覆盖,该氮化物含有Al、Ti、Zr、V、Ta和Nb中的至少1种。
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公开(公告)号:CN111527790A
公开(公告)日:2020-08-11
申请号:CN201980007168.6
申请日:2019-11-13
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
IPC: H05B3/02 , H01L21/683 , H05B3/10 , H05B3/74
Abstract: 一种保持装置及保持装置的制造方法,该保持装置抑制由供电连接构件的电阻值的偏差引起的发热电阻器的发热量的偏差。保持装置具备:陶瓷构件,由以氮化铝为主要成分的陶瓷烧结体形成;金属制的发热电阻器,配置于陶瓷构件的内部;与发热电阻器接触的导电性的供电连接构;及与供电连接构件电连接的导电性的供电端子,该保持装置是将对象物保持在陶瓷构件的表面上的装置。供电连接构件的表面中除了与发热电阻器的接触面及与供电端子的连接面以外的表面的至少一部分被由氮化物形成的涂层覆盖,该氮化物含有Al、Ti、Zr、V、Ta和Nb中的至少1种。
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公开(公告)号:CN111527790B
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN201980007168.6
申请日:2019-11-13
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
IPC: H05B3/02 , H01L21/683 , H05B3/10 , H05B3/74
Abstract: 一种保持装置及保持装置的制造方法,该保持装置抑制由供电连接构件的电阻值的偏差引起的发热电阻器的发热量的偏差。保持装置具备:陶瓷构件,由以氮化铝为主要成分的陶瓷烧结体形成;金属制的发热电阻器,配置于陶瓷构件的内部;与发热电阻器接触的导电性的供电连接构;及与供电连接构件电连接的导电性的供电端子,该保持装置是将对象物保持在陶瓷构件的表面上的装置。供电连接构件的表面中除了与发热电阻器的接触面及与供电端子的连接面以外的表面的至少一部分被由氮化物形成的涂层覆盖,该氮化物含有Al、Ti、Zr、V、Ta和Nb中的至少1种。
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公开(公告)号:CN113543908A
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202080017912.3
申请日:2020-03-11
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
IPC: B22F1/00 , B22F1/02 , B22F3/00 , C22C38/02 , C22C38/18 , C22C38/34 , B22F3/02 , B22F3/24 , H01F1/24
Abstract: 抑制压粉磁芯的铁损。压粉磁芯(1)是具备平均粒径为5μm以上且30μm以下的软磁性金属颗粒(3)、以及晶界相(6)而成的。晶界相(6)包含含有Al(铝)的多晶化合物而构成。并且,观察压粉磁芯(1)的截面结构时,α‑Al2O3在晶界相(6)中所占的面积比率为75%以下。此外,晶界相(6)的平均厚度Ta为10nm以上且300nm以下。根据本发明,铁损受到抑制。
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公开(公告)号:CN106045514B
公开(公告)日:2019-06-18
申请号:CN201610210150.4
申请日:2016-04-06
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
Abstract: 本发明提供一种导电性氧化物烧结体、用其的热敏电阻元件及温度传感器,在现有技术中担心无法满足近年来的高耐热性要求。本发明的导电性氧化物烧结体具有以M1aM2bMncAldCreOf(M1为3族元素中的一种以上,M2为Mg、Ca、Sr、Ba中的一种以上)表示的钙钛矿型氧化物晶体结构。元素M1主要包含从Nd、Pr、Sm中选出的一种以上的元素,a、b、c、d、e、f满足0.600≤a<1.000、0<b≤0.400、0≤c<0.150、0.400≤d<0.950、0.050<e≤0.600、0.50<e/(c+e)≤1.00、2.80≤f≤3.30。
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