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公开(公告)号：CN107431216A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680017358.2
申请日：2016-03-23
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
IPC: H01M8/0245 , H01M8/0232 , H01M8/0236 , H01M8/12
Abstract: 本发明涉及一种电化学反应单元，其能够有效地抑制自空气极侧的集电构件的突出部的角部的Cr扩散。电化学反应单元包括：单体单元，其具有电解质层、空气极及燃料极，该电解质层含有固体氧化物，该空气极和燃料极隔着电解质层在第1方向上彼此相对；集电构件，其配置于单体单元的靠空气极的一侧，该集电构件具有朝向空气极突出的突出部；导电性的涂层，其覆盖集电构件的表面；以及导电性的接合层，其将空气极和被涂层覆盖的突出部接合在一起。在突出部的与第1方向平行的所有剖面中，被涂层覆盖的突出部的角部被接合层覆盖。
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公开(公告)号：CN107431215A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680020527.8
申请日：2016-03-23
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
IPC: H01M8/0202 , H01M8/02 , H01M8/12 , H01M8/24
Abstract: 本发明的课题在于有效地抑制将集电构件的突出部和空气极接合的接合层的导电性下降、空气极的电极反应速度下降。电化学反应单元包括：单体单元，其具有含有固体氧化物的电解质层和隔着电解质层在第1方向上相互相对的空气极和燃料极；集电构件，其配置于单体单元的靠空气极的一侧，具有朝向空气极突出的突出部；导电性的涂层，其覆盖集电构件的表面；以及导电性的接合层，其将被涂层覆盖的突出部和空气极接合。在突出部的与第1方向平行的至少一个剖面中，被涂层覆盖的突出部具有被接合层覆盖的覆盖部分和自接合层露出的露出部分，该露出部分为包含被涂层覆盖的突出部的角部在内的部分。
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公开(公告)号：CN119301313A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202380044413.7
申请日：2023-07-20
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
Inventor： 村田朋来
Abstract: 提供能用于各种领域、且能量产的新型的覆盖基材。覆盖基材(1)是由覆膜(3)覆盖基材(5)而成的。覆膜(3)的厚度为1nm以上且低于800nm。用X射线光电子能谱法测定覆膜(3)时，金属元素和O(氧)的总计的元素百分率为70atm％以上。覆膜(3)的相对密度为90％以上。覆盖基材(1)满足下述条件(1)和条件(2)中的至少一者。条件(1)：基材(5)的表面的缘部区域上形成的覆膜(3)的最大厚度大于比表面的缘部区域还靠近内侧的内侧区域上形成的覆膜(3)的厚度。条件(2)：基材(5)的表面的凸状部存在区域上形成的覆膜(3)的最大厚度大于表面的凸状部非存在区域上形成的覆膜(3)的厚度。
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公开(公告)号：CN119317738A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044412.2
申请日：2023-07-20
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
Inventor： 村田朋来
IPC: C25D9/08
Abstract: 提供能用于各种领域、且能量产的新型的覆盖基材。覆盖基材(1)是由覆膜(3)覆盖基材(5)而成的。覆膜(3)的厚度为1nm以上且低于800nm。用X射线光电子能谱法测定覆膜(3)时，C(碳)的元素百分率为0.1atm％以上且低于20atm％，金属元素和O(氧)的总计的元素百分率为70atm％以上。覆膜(3)的相对密度为90％以上。覆膜(3)为非晶态。
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公开(公告)号：CN109689570A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780056287.1
申请日：2017-09-11
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
Abstract: 本发明公开一种能够抑制Si(硅)的飞散的技术。本发明提供一种云母制构件，其特征在于，该云母制构件具有结晶构造，该结晶构造在X射线结晶构造解析(XRD)中包括KMg3(Si3Al)O10(OH)2的强度峰值和Mg2SiO4的强度峰值。由于具有在XRD中包括KMg3(Si3Al)O10(OH)2的强度峰值和Mg2SiO4的强度峰值的结晶构造，因此能够抑制Si的飞散。
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