-
公开(公告)号:CN119768896A
公开(公告)日:2025-04-04
申请号:CN202380061750.7
申请日:2023-09-05
Applicant: 日本发条株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一种叠层结构体包括:基材,其具有第一面和与所述第一面连接而设置的第二面;第一绝缘膜,其设置在所述第一面和所述第二面;以及第二绝缘膜,其设置在所述第一绝缘膜上以及形成在所述第一面和所述第二面之间的边界的角部,所述基材的热膨胀系数与所述第二绝缘膜的热膨胀系数之差小于所述基材的热膨胀系数与所述第一绝缘膜的热膨胀系数之差。一种制造叠层结构体的方法包括:使用具有第一面和与所述第一面连接而设置的第二面的基材的步骤;在所述第一面和所述第二面形成第一绝缘膜的步骤;以及通过将有机材料的粉末熔融而喷涂于所述第一绝缘膜上以及所述第一绝缘膜之间的间隙来形成第二绝缘膜的步骤。
-
公开(公告)号:CN118251757A
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202280075827.1
申请日:2022-12-02
Applicant: 日本发条株式会社
IPC: H01L21/683 , B32B9/04 , B32B15/04 , B32B15/20 , C23C14/50 , H01L21/205 , H01L21/31
Abstract: 本发明的层叠结构体是适用于半导体制造装置的层叠结构体,其包括含有铝并具有第一面的基体、配置于基体的第一面的含有氧化铝的中间层、以及配置在中间层上的含有金属原子的覆盖层。中间层具有在与第一面平行的截面形状中形成多个空隙的分隔壁。中间层具有覆盖基体的第一面的边界层。覆盖层配置在中间层中的多个空隙的一部分。多个空隙包含与边界层相邻并与覆盖层分离的空隙。
-