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公开(公告)号：CN102270557B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201110020842.X
申请日：2011-01-11
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 内藤胜男
IPC: H01J37/317 , H01L21/265 , C03C25/62
Abstract: 本发明提供一种离子注入装置，不用平行化透镜就能实现对玻璃基板的离子注入，其在COO方面优良。本发明的离子注入装置是向玻璃基板(7)照射带状离子束(3)的质量分析型的离子注入装置(1)。在从离子源(2)到质量分析磁铁(4)的离子束(3)的输送路径中，设置有离子束发散部件。离子束发散部件以在由离子束(3)的长边方向(Y方向)与离子束的行进方向(Z方向)构成的平面中，使所述离子束的照射角度大于0度且在根据设计规则设定的容许发散角度以下的方式，使离子束(3)沿其长边方向发散，所述照射角度是引向玻璃基板(7)的垂线与入射到玻璃基板(7)上的离子束(3)所成的角度。
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公开(公告)号：CN108346551A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710059911.5
申请日：2017-01-24
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 内藤胜男
IPC: H01J37/065 , H01J37/317
Abstract: 质量分析电磁铁具备一对主线圈和多个副线圈，主线圈具备与离子束的行进方向平行的第1平行部及相对于第1平行部弯折的第1弯折部，一对主线圈相对于离子束的行进方向而上下对称配置，离子束在主线圈以及副线圈形成的磁场下沿着离子束的行进方向，通过由第1平行部以及第1弯折部形成的空间，多个副线圈具有与离子束的行进方向平行的第2平行部以及相对于第2平行部弯折的第2弯折部，且与主线圈的第1平行部以及第1弯折部紧密相接地匹配，相对于离子束的行进方向而上下对称配置，通过主线圈产生质量分析所需磁场，通过调整副线圈中的电流朝向及大小对主线圈产生的磁场进行微调整。可对磁场控制进行微调整且易于修正离子束形状。
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公开(公告)号：CN102270557A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110020842.X
申请日：2011-01-11
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 内藤胜男
IPC: H01J37/317 , H01L21/265 , C03C25/62
Abstract: 本发明提供一种离子注入装置，不用平行化透镜就能实现对玻璃基板的离子注入，其在COO方面优良。本发明的离子注入装置是向玻璃基板(7)照射带状离子束(3)的质量分析型的离子注入装置(1)。在从离子源(2)到质量分析磁铁(4)的离子束(3)的输送路径中，设置有离子束发散部件。离子束发散部件以在由离子束(3)的长边方向(Y方向)与离子束的行进方向(Z方向)构成的平面中，使所述离子束的照射角度大于0度且在根据设计规则设定的容许发散角度以下的方式，使离子束(3)沿其长边方向发散，所述照射角度是引向玻璃基板(7)的垂线与入射到玻璃基板(7)上的离子束(3)所成的角度。
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公开(公告)号：CN102800550B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210067360.4
申请日：2012-03-14
Applicant: 日新离子机器株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
Abstract: 本发明提供离子注入装置，其包括质量分离磁铁，即使在伴随基板尺寸的大型化，带状离子束的长度方向的尺寸增大的情况下，与以往的技术相比，该质量分离磁铁的耗电量小、磁极间的磁场分布均匀且尺寸小。离子注入装置包括：离子源，生成带状离子束；质量分离磁铁，具有一对磁极，该一对磁极隔着离子束的主平面相对设置，通过在磁极之间产生的磁场，使离子束的行进方向在离子束的长度方向上偏转；分析狭缝，使包含所希望的离子种类的离子束通过；处理室，配置有基板，通过分析狭缝后的离子束照射到该基板上。在磁极之间产生的磁场的方向倾斜地横穿通过质量分离磁铁内部的离子束的主平面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102956428A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210295451.3
申请日：2012-08-17
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 内藤胜男
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/0835 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明提供了一种离子注入设备，包括偏转电极和遮蔽构件。离子束具有带状形状。偏转电极基于由射束电流测量装置测量的结果，使离子束的至少一部分沿长边方向朝向短边方向偏转。遮蔽构件部分地遮蔽由偏转电极偏转的离子束。偏转电极包括平板电极和包括多个电极的电极组。电极组布置成面对平板电极，以将离子束置于平板电极与电极组之间。平板电极电接地，且多个电极彼此电独立。多个电极的每一个均连接至与其他电源独立的电源以进行电位设置。
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公开(公告)号：CN102956428B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210295451.3
申请日：2012-08-17
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 内藤胜男
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/0835 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明提供了一种离子注入设备，包括偏转电极和遮蔽构件。离子束具有带状形状。偏转电极基于由射束电流测量装置测量的结果，使离子束的至少一部分沿长边方向朝向短边方向偏转。遮蔽构件部分地遮蔽由偏转电极偏转的离子束。偏转电极包括平板电极和包括多个电极的电极组。电极组布置成面对平板电极，以将离子束置于平板电极与电极组之间。平板电极电接地，且多个电极彼此电独立。多个电极的每一个均连接至与其他电源独立的电源以进行电位设置。
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公开(公告)号：CN108346551B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201710059911.5
申请日：2017-01-24
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 内藤胜男
IPC: H01J37/065 , H01J37/317
Abstract: 质量分析电磁铁具备一对主线圈和多个副线圈，主线圈具备与离子束的行进方向平行的第1平行部及相对于第1平行部弯折的第1弯折部，一对主线圈相对于离子束的行进方向而上下对称配置，离子束在主线圈以及副线圈形成的磁场下沿着离子束的行进方向，通过由第1平行部以及第1弯折部形成的空间，多个副线圈具有与离子束的行进方向平行的第2平行部以及相对于第2平行部弯折的第2弯折部，且与主线圈的第1平行部以及第1弯折部紧密相接地匹配，相对于离子束的行进方向而上下对称配置，通过主线圈产生质量分析所需磁场，通过调整副线圈中的电流朝向及大小对主线圈产生的磁场进行微调整。可对磁场控制进行微调整且易于修正离子束形状。
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公开(公告)号：CN102800550A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210067360.4
申请日：2012-03-14
Applicant: 日新离子机器株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
Abstract: 本发明提供离子注入装置，其包括质量分离磁铁，即使在伴随基板尺寸的大型化，带状离子束的长度方向的尺寸增大的情况下，与以往的技术相比，该质量分离磁铁的耗电量小、磁极间的磁场分布均匀且尺寸小。离子注入装置包括：离子源，生成带状离子束；质量分离磁铁，具有一对磁极，该一对磁极隔着离子束的主平面相对设置，通过在磁极之间产生的磁场，使离子束的行进方向在离子束的长度方向上偏转；分析狭缝，使包含所希望的离子种类的离子束通过；处理室，配置有基板，通过分析狭缝后的离子束照射到该基板上。在磁极之间产生的磁场的方向倾斜地横穿通过质量分离磁铁内部的离子束的主平面。
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公开(公告)号：CN102683147A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110300414.2
申请日：2011-09-29
Applicant: 日新离子机器株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/02
Abstract: 本发明提供一种离子注入装置，以廉价且简单的装置结构，能够防止离子源产生的微粒混入基板。本发明的离子注入装置(IM)包括：离子源(1)，通过离子束引出口(14)朝向与重力方向(G)交差的方向引出离子束(2)；输送盘(7)，装载有基板(4)；掩模(5)，安装在输送盘(7)上，且至少具有一个开口部(6)；以及驱动机构，通过使输送盘(7)在与离子束(2)交差的方向上移动，使离子束(2)经过掩模(5)上形成的开口部(6)，对基板的规定区域进行照射。该离子注入装置还包括防尘板(11)，在沿重力方向(G)观察离子束引出口(14)时，该防尘板(11)覆盖离子束引出口(14)的下方，并且不妨碍离子束(2)照射基板(4)。
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