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公开(公告)号:CN110913975A
公开(公告)日:2020-03-24
申请号:CN201780090699.7
申请日:2017-05-12
Abstract: 本发明提供一种气体分离装置,其在使用气体分离膜从含有非烃气体的被处理气体中分离非烃气体时,能够抑制运转率下降,并且经济性好。本发明的解决手段是相对于被处理气体的供给路彼此并联地配置第一分离膜组件1和第二分离膜组件2。设置从分离膜组件1(或2)的透过气体流路13(或23)分支、并与用于向分离膜组件2(或1)供给被处理气体的气体供给路径21(或11)合流的再生用气体流路14和15(或者24和25)。在向分离膜组件1供给被处理气体的状态下,将该分离膜组件1的透过气体作为再生用气体经由再生用气体流路14、15向分离膜组件2供给。此时,将分离膜组件2设为非运转状态,进行该分离膜组件2的再生。
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公开(公告)号:CN113490541B
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202080007307.8
申请日:2020-02-18
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 沸石膜复合体(1)具备:多孔质的支撑体(11)、以及形成在支撑体(11)上的沸石膜(12)。沸石膜(12)具备:覆盖支撑体(11)的低密度层(13)、以及覆盖低密度层(13)的致密层(14)。致密层(14)的沸石结晶相的含有率高于低密度层(13)。像这样,在覆盖支撑体(11)的低密度层(13)上形成致密层(14),由此,与在支撑体上直接形成致密层的情形相比,能够容易地形成不具有缺陷的较薄的致密层(14)。结果,能够实现具有高透过性能及高分离性能的沸石膜复合体(1)。
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公开(公告)号:CN105073640B
公开(公告)日:2018-09-14
申请号:CN201480019484.2
申请日:2014-03-26
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 一种DDR型沸石晶体的制造方法,其具有至少混合二氧化硅、水、有机溶剂和作为结构导向剂的1‑金刚烷胺,配制原料溶液的原料溶液配制工序,以及加热处理所述原料溶液生成DDR型沸石晶体的DDR型沸石晶体生成工序;所述有机溶剂为不含胺的有机溶剂,所述原料溶液为不含PRTR物质的原料溶液。本发明提供在原料溶液配制工序中,可不使用高环境负担的物质(PRTR物质),而容易地溶解结构导向剂的DDR型沸石晶体的制造方法。
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公开(公告)号:CN107148312A
公开(公告)日:2017-09-08
申请号:CN201580056508.6
申请日:2015-11-18
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: B01D69/12 , B01D67/0046 , B01D69/02 , B01D71/027 , B01D71/028 , B01D2325/04 , B01D2325/16
Abstract: 分离膜结构体(10)包括多孔质支撑体(20)、形成在多孔质支撑体(20)上的第一分离膜(30)、以及形成在第一分离膜(30)上的第二分离膜(40)。第一分离膜(30)含有Si/Al原子比为200以上的高硅沸石。第二分离膜(40)含有阳离子。
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公开(公告)号:CN106999864A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201580060731.8
申请日:2015-12-07
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 分离膜结构体(100)包括:多孔质支撑体(110)、第一玻璃密封(120)、以及分离膜(140)。多孔质支撑体(110)具有与第一端面(S1)和第二端面(S2)相连的第一贯通孔(TH1)。第一玻璃密封(120)具有配置在第一端面(S1)上的第一密封主体部(121)和配置在第一贯通孔(TH1)的内表面上的第一延伸部(122)。分离膜(140)具有与第一延伸部(122)连接的第一连接部(141)。第一连接部(141)的第一厚度(P1)为10μm以下,并且为长度方向中央处的中央厚度(P3)的3.2倍以下。
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公开(公告)号:CN105073687B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201480019407.7
申请日:2014-03-26
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: B01J20/06 , B01J20/28042 , B01J20/3078 , C01B37/04 , C01B39/54 , C04B35/447 , C04B38/0035 , C04B2111/00801 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3418 , C04B2235/447 , C04B2235/781 , Y02P20/129 , C04B38/0054
Abstract: 一种磷酸铝‑金属氧化物接合体,具备有:在其部分表面具有接合面的金属氧化物,以及配设在金属氧化物接合面的磷酸铝;在金属氧化物的接合面配置有碱金属、碱土金属或它们两者,碱金属、碱土金属或它们两者的含有率为,相对于配置在金属氧化物接合面的物质整体,为0.3~30.0质量%,提供一种即使形状复杂,接合状态也良好的磷酸铝‑金属氧化物接合体。
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公开(公告)号:CN105073687A
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201480019407.7
申请日:2014-03-26
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: B01J20/06 , B01J20/28042 , B01J20/3078 , C01B37/04 , C01B39/54 , C04B35/447 , C04B38/0035 , C04B2111/00801 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3418 , C04B2235/447 , C04B2235/781 , Y02P20/129 , C04B38/0054
Abstract: 一种磷酸铝-金属氧化物接合体,具备有:在其部分表面具有接合面的金属氧化物,以及配设在金属氧化物接合面的磷酸铝;在金属氧化物的接合面配置有碱金属、碱土金属或它们两者,碱金属、碱土金属或它们两者的含有率为,相对于配置在金属氧化物接合面的物质整体,为0.3~30.0质量%,提供一种即使形状复杂,接合状态也良好的磷酸铝-金属氧化物接合体。
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公开(公告)号:CN104661732A
公开(公告)日:2015-05-27
申请号:CN201380050062.7
申请日:2013-09-19
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: B01D65/108 , B01D63/066 , B01D65/003 , B01D65/102 , B01D65/104 , B01D65/106 , B01D69/02 , B01D71/021 , B01D71/027 , B01D71/028 , B01D2325/24 , B29C73/02 , B29C73/06 , B29K2079/08 , B29K2995/0068 , B29L2031/14 , G01M3/3254 , G01M3/34 , G01N15/08
Abstract: 提供检测孔单元上形成有分离膜的一体型分离膜结构体缺陷的简易的缺陷检测方法。此外,提供修补具有缺陷孔单元的一体型分离膜结构体的修补方法、经过修补的一体型分离膜结构体。从孔单元(4)外对每个孔单元(4)用气体加压,测定气体渗透孔单元(4)内的渗透量,渗透量多于(所有孔单元的渗透量平均值+A)(其中A为σ~6σ的规定值、σ为标准偏差)的孔单元(4)判断为有缺陷的孔单元。或者,对每个孔单元(4)减压,测定孔单元(4)的真空度,真空度的值比(所有孔单元的真空度平均值+A)低的孔单元(4)判断为有缺陷的孔单元。然后,向一体型分离膜结构体(1)的缺陷孔单元(4)内注入高分子化合物(27),令其固化,堵住缺陷孔单元(4)。或者,将预成型的高分子化合物(27)插入缺陷孔单元(4),堵住缺陷孔单元(4)。
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公开(公告)号:CN115715227A
公开(公告)日:2023-02-24
申请号:CN202180043871.X
申请日:2021-04-08
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: B01D69/12
Abstract: 分离膜复合体(1)具备多孔质的支撑体(11)和分离膜,该分离膜形成在支撑体(11)上,用于流体的分离。该分离膜的表面的被供给流体的区域的面积即供给侧表面积(Ss)除以支撑体(11)的表面的供从分离膜及支撑体(11)透过的流体流出的区域的面积即透过侧表面积(St)得到的供给透过面积比为1.1以上且5.0以下。据此,能够提供透过流量多、分离性能高、分离膜以缓和了热膨胀差的形态接合在支撑体(11)上的分离膜复合体(1)。
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公开(公告)号:CN115666768A
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN202180036955.0
申请日:2021-02-19
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 分离膜复合体具备:多孔质的支撑体、以及形成在支撑体上的分离膜。该分离膜包含小空隙(121)。当将分离膜的表面面积表示为Sm、将每1个小空隙(121)的面积表示为Sk,将每1个大空隙(122)的面积表示为Sp时,表示小空隙(121)的存在率的小空隙指数Ik=(Σ(Sk1.5))/(Sm1.5)为10×10‑15以上,表示大空隙(122)的存在率的大空隙指数Ip=(Σ(Sp2))/(Sm2)小于200×10‑22。据此,能够在分离膜复合体中实现高分离比。
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