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公开(公告)号：CN119895542A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380065192.1
申请日：2023-09-06
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/24 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/50
Abstract: 本发明提供半导体基板的清洗方法、包括这样的清洗方法的经加工的半导体基板的制造方法以及用于这样的清洗方法的组合物，所述半导体基板的清洗方法能以简便的操作、更短时间且更干净地将例如使用硅氧烷系粘接剂得到的粘接层从表面具有该粘接层的半导体基板上去除(清洗)。一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括：使用剥离和溶解用组合物将半导体基板上的粘接层剥离和溶解的工序，所述剥离和溶解用组合物包含如下成分：[I]成分：季铵盐；[II]成分：酰胺系溶剂；[III]成分：下述式(L0)～(L4)中的任意式所示的溶剂；以及[IV]成分：下述式(T)或下述式(G)所示的溶剂。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116507683B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202280007459.7
申请日：2022-09-13
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , C11D7/50 , C11D7/32 , C11D7/26 , C09J183/07 , C09J183/05 , C09J7/35 , C09D9/04
Abstract: 本发明提供半导体基板的清洗方法、包括这样的清洗方法的经加工的半导体基板的制造方法以及用于这样的清洗方法的组合物，所述半导体基板的清洗方法能通过简便的操作从其表面具有使用例如硅氧烷系粘接剂得到的粘接层的半导体基板上在更短时间内且更干净地去除(清洗)该粘接层。一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，其包括使用剥离和溶解用组合物来剥离并溶解半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离和溶解用组合物包含：[I]成分：季铵盐、[II]成分：酰胺系溶剂、以及[III]成分：下述式(L)所示的溶剂。(式中，L1和L2各自独立地表示碳原子数2～5的烷基，L3表示O或S。)L1‑L3‑L2 (L)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117981055A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280062311.3
申请日：2022-09-13
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C09D9/04 , C09J7/35 , C09J183/05 , C09J183/07 , C11D7/24 , C11D7/32 , C11D7/50 , H01L21/02
Abstract: 提供一种半导体基板的清洗方法、包括这样的清洗方法的经加工的半导体基板的制造方法以及用于这样的清洗方法的组合物，所述半导体基板的清洗方法能以简便的操作、更短时间且更干净地将粘接层从在表面具有该粘接层的半导体基板上去除(清洗)。一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括：使用剥离和溶解用组合物将半导体基板上的粘接层剥离和溶解的工序，所述剥离和溶解用组合物包含如下成分：[I]成分：季铵盐；[II]成分：酰胺系溶剂；以及[III]成分：下述式(L)所示的溶剂。(式中，L表示取代于苯环的取代基，各自独立地表示碳原子数1～4的烷基，k表示L的数量，为0～5的整数。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116507683A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202280007459.7
申请日：2022-09-13
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D9/04
Abstract: 本发明提供半导体基板的清洗方法、包括这样的清洗方法的经加工的半导体基板的制造方法以及用于这样的清洗方法的组合物，所述半导体基板的清洗方法能通过简便的操作从其表面具有使用例如硅氧烷系粘接剂得到的粘接层的半导体基板上在更短时间内且更干净地去除(清洗)该粘接层。一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，其包括使用剥离和溶解用组合物来剥离并溶解半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离和溶解用组合物包含：[I]成分：季铵盐、[II]成分：酰胺系溶剂、以及[III]成分：下述式(L)所示的溶剂。(式中，L1和L2各自独立地表示碳原子数2～5的烷基，L3表示O或S。)L1‑L3‑L2 (L)。
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公开(公告)号：CN119856258A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380065537.3
申请日：2023-09-06
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D1/62 , C11D3/20 , C11D3/32 , C11D3/43
Abstract: 提供一种半导体基板的清洗方法、包括这样的清洗方法的经加工的半导体基板的制造方法以及在这样的清洗方法中使用的组合物，所述半导体基板的清洗方法能以简便的操作、更短时间且更干净地将例如使用硅氧烷系粘接剂得到的粘接层从在表面具有该粘接层的半导体基板上去除(清洗)。一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括：使用剥离和溶解用组合物将半导体基板上的粘接层剥离和溶解的工序，其中，所述剥离和溶解用组合物包含如下成分：[I]成分：季铵盐；[II]成分：酰胺系溶剂；以及[III]成分：下述式(G)所示的溶剂。(式中，L11和L12各自独立地表示碳原子数1～6的烷基，L11的烷基的碳原子数和L12的烷基的碳原子数的合计为7以下。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119654697A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202380057869.7
申请日：2023-09-12
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02 , B32B27/36 , C08G59/14 , C08G63/00 , C09D5/00 , C09D167/00 , C09D171/12 , C09J7/30 , C09J7/40 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 一种剥离剂组合物，其是光照射剥离用的剥离剂组合物，该剥离剂组合物含有：具有下述式(1)所示的结构、碳含量为80％以下的化合物和聚合物中的至少任意种；以及溶剂。(式(1)中，R1和R2各自独立地表示氢原子、氰基、苯基、碳原子数1～13的烷基、卤素原子、－COOR11(R11表示氢原子或碳原子数1～4的烷基)或－COO－。R3表示甲氧基、碳原子数1～13的烷基、或卤素原子。n1表示0～4的整数。n2表示0或1。其中，n1与n2的合计为4以下。X1表示醚键或酯键。X2表示醚键或酯键。*表示键合键。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117083694A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280024275.1
申请日：2022-02-21
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种具有在半导体基板的加工后将半导体基板与支承基板分离时能够容易地剥离且能够抑制凸块变形的粘接层的层叠体等。一种层叠体，具备：带凸块的半导体基板；支承基板；保护用粘接层，以与所述带凸块的半导体基板相接的方式形成；以及剥离用粘接层，在所述保护用粘接层与所述支承基板之间形成，所述保护用粘接层由保护用粘接剂组合物形成，所述保护用粘接剂组合物包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)，不含不发生固化反应的剥离剂成分(B)，所述剥离用粘接层由剥离用粘接剂组合物形成，所述剥离用粘接剂组合物包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)和不发生固化反应的剥离剂成分(B)。
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