公开(公告)号：CN114867810B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202080089720.3

申请日：2020-12-15

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  新城彻也 ,  荻野浩司 ,  森谷俊介 ,  奥野贵久 ,  福田拓也 ,  柳井昌树

IPC: C09J201/00 ,  C09J11/08 ,  C09J183/04 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物，其包含粘接剂成分(S)；以及剥离成分(H)，由复数粘度为3400(Pa·s)以上的聚有机硅氧烷构成。

公开(公告)号：CN118160066A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280072282.9

申请日：2022-10-07

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  岸冈高广 ,  新城彻也

IPC: H01L21/02 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  B32B27/00 ,  H01L21/304

Abstract: 一种层叠体，其具有：半导体基板、透光性的支承基板、以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层，所述层叠体用于：在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支承基板分离，所述剥离层是由剥离剂组合物形成的层，所述剥离剂组合物含有分子量为2000以下的光吸收性化合物，在对所述光吸收性化合物测定出250nm～800nm的范围的吸收光谱时，所述吸收光谱在250nm～800nm的范围内在250nm～350nm之间具有吸光度最大的极大值。

公开(公告)号：CN117083697A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202280025525.3

申请日：2022-03-24

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  奥野贵久 ,  新城彻也

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种层叠体，其特征在于，具有：半导体基板、透光性的支承基板、以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层，所述层叠体用于：在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支承基板剥离，所述剥离层是由剥离剂组合物形成的层，所述剥离剂组合物含有具有第一结构和作为第二结构的硅氧烷结构的化合物，所述第一结构是吸收所述光的结构，并且通过吸收所述光而有助于所述半导体基板与所述支承基板变得容易剥离。

公开(公告)号：CN116508132A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202180079636.8

申请日：2021-11-26

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  新城彻也 ,  森谷俊介 ,  福田拓也 ,  奥野贵久

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种层叠体，具有：支承基板；半导体基板，在所述支承基板侧具有凸块；无机材料层，介于所述支承基板与所述半导体基板之间，且与所述半导体基板相接；以及粘接层，介于所述支承基板与所述无机材料层之间，且与所述支承基板和所述无机材料层相接，所述层叠体用于在所述层叠体中的所述半导体基板的加工后使所述支承基板与所述半导体基板分离的用途，所述支承基板与所述半导体基板分离时的、所述无机材料层与所述粘接层的粘接力小于所述无机材料层与所述半导体基板的粘接力。

公开(公告)号：CN113439325A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202080014674.0

申请日：2020-02-14

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 荻野浩司 ,  新城彻也 ,  柄泽凉 ,  奥野贵久

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50

Abstract: 本发明提供一种清洗剂组合物，其用于去除残留于基体上的聚硅氧烷系粘接剂，所述清洗剂组合物包含氟化四(烃)铵和有机溶剂，上述有机溶剂包含亚烷基二醇二烷基醚和式(1)所示的内酰胺化合物。(式中，R101表示碳原子数1～6的烷基，R102表示碳原子数1～6的亚烷基。)

公开(公告)号：CN113226743A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980085649.9

申请日：2019-12-25

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 荻野浩司 ,  新城彻也 ,  柄泽凉 ,  奥野贵久

IPC: B32B27/00 ,  C09J11/04 ,  C09J183/04 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07 ,  C09J201/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  C09J7/30 ,  C09J7/40 ,  B32B7/12

Abstract: 一种能通过光照射而剥离的光照射剥离用粘接剂组合物，其包含粘接剂成分和炭黑，所述粘接剂成分包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)。

公开(公告)号：CN119404297A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202380048240.6

申请日：2023-06-13

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  新城彻也

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/12

Abstract: 提供一种剥离剂组合物，其用于形成在如下层叠体中的如下剥离剂层，所述层叠体在半导体基板或电子器件层的加工时，能将支承基板与该半导体基板或该电子器件层牢固地粘接，并且在基板加工后，能通过光照射将支承基板与该半导体基板或该电子器件层容易地分离，所述剥离剂层是用于该层叠体的、能通过光照射而剥离的剥离剂层，所述剥离剂组合物含有水溶剂。一种光照射剥离用的剥离剂组合物，其用于形成如下层叠体的下述剥离剂层，所述层叠体具有：半导体基板或电子器件层、透光性的支承基板以及设于所述半导体基板或所述电子器件层与所述支承基板之间的剥离剂层，所述电子器件层包括多个半导体芯片基板和配置于所述半导体芯片基板间的密封树脂，并且所述层叠体用于：在所述剥离剂层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板或所述电子器件层与所述支承基板剥离，所述剥离剂组合物含有：光吸收化合物和溶剂，所述光吸收化合物通过吸收所述光而有助于所述半导体基板或所述电子器件层与所述支承基板变得容易剥离，该溶剂含有水。

公开(公告)号：CN113544247B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202080018947.9

申请日：2020-03-04

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  荻野浩司 ,  柄泽凉 ,  新城彻也

IPC: C11D1/62 ,  H01L21/304 ,  C11D1/90 ,  C11D3/43

Abstract: 本发明提供一种清洗剂组合物，其用于去除例如聚硅氧烷系粘接剂，所述清洗剂组合物包含季铵盐、由两性离子系表面活性剂形成的蚀刻速率改进剂以及有机溶剂。

公开(公告)号：CN117716475A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202280051910.5

申请日：2022-07-14

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  臼井友辉 ,  新城彻也

IPC: H01L21/304

Abstract: 一种层叠体的制造方法，其包括：在支承基板的表面形成第一粘接剂涂布层的工序；在半导体基板的表面形成第二粘接剂涂布层的工序；以及进行第一粘接剂涂布层与第二粘接剂涂布层的贴合和加热，由第一粘接剂涂布层和第二粘接剂涂布层形成粘接层的工序，第一粘接剂涂布层由第一粘接剂组合物形成，第二粘接剂涂布层由第二粘接剂组合物形成，第一粘接剂组合物和第二粘接剂组合物中的一者含有第一热固化成分和在催化剂存在下与第一热固化成分反应的第二热固化成分，另一者含有催化剂，第一粘接剂组合物和第二粘接剂组合物中的至少任意者含有剥离剂成分。

公开(公告)号：CN117157738A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202280025070.5

申请日：2022-03-24

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 森谷俊介 ,  奥野贵久

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种层叠体，其具有：半导体基板、透光性的支承基板、以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层，所述层叠体用于：在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支承基板剥离，所述剥离层是由剥离剂组合物形成的层，所述剥离剂组合物含有具有第一结构和作为第二结构的硅氧烷结构的化合物，所述第一结构是吸收所述光的结构，通过吸收所述光而有助于所述半导体基板与所述支承基板变得容易剥离，并且具有构成π电子共轭体系的两个以上芳香族环。