公开(公告)号：CN116157447B

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202180060511.0

申请日：2021-07-28

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 水落龙太 ,  加藤祐希 ,  田村护

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  C08G73/00

Abstract: 本发明提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、以及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含反应产物、及有机溶剂，所述反应产物是(A)具有2个环氧基的含乙内酰脲的化合物和(B)与(A)不同的含乙内酰脲的化合物的反应产物。优选上述反应产物是(B)含乙内酰脲的化合物所具有的仲氨基与(A)含乙内酰脲的化合物所具有的环氧基的反应产物。

公开(公告)号：CN118202304A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280073359.4

申请日：2022-11-09

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  加藤祐希 ,  田村护

IPC: G03F7/11 ,  C08F20/54

Abstract: 一种EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有聚合物和溶剂，上述聚合物包含下述式(1)所示的重复单元。(在式(1)中，R1表示碳原子数1～20的1价有机基。R2表示氢原子或碳原子数1～6的烷基。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN116745700A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202280011840.0

申请日：2022-01-26

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 加藤祐希 ,  广原知忠 ,  田村护

IPC: G03F7/11

Abstract: 本发明提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(I)表示的单元结构的聚合物、和溶剂，式(I)中，A1、A2、A3、A4、A5及A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示2价的有机基团，R1表示包含碳原子数为6～40的芳香环结构的4价有机基团，L1及L2各自独立地表示氢原子、或可被羟基取代也可被氧原子中断的碳原子数为1～10的烷基。#imgabs0#

公开(公告)号：CN118276405A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410452510.6

申请日：2022-01-26

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 加藤祐希 ,  广原知忠 ,  田村护

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  G03F7/00 ,  C08G63/688

Abstract: 本发明提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(I)表示的单元结构的聚合物、和溶剂，式(I)中，A1、A2、A3、A4、A5及A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示2价的有机基团，R1表示包含碳原子数为6～40的芳香环结构的4价有机基团，L1及L2各自独立地表示氢原子、或可被羟基取代也可被氧原子中断的碳原子数为1～10的烷基。#imgabs0#

公开(公告)号：CN116157447A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180060511.0

申请日：2021-07-28

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 水落龙太 ,  加藤祐希 ,  田村护

IPC: C08G73/00

Abstract: 本发明提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、以及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含反应产物、及有机溶剂，所述反应产物是(A)具有2个环氧基的含乙内酰脲的化合物和(B)与(A)不同的含乙内酰脲的化合物的反应产物。优选上述反应产物是(B)含乙内酰脲的化合物所具有的仲氨基与(A)含乙内酰脲的化合物所具有的环氧基的反应产物。