-
-
公开(公告)号：CN117015746A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202280021419.8
申请日：2022-03-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 本发明提供可以形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、以及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。所述抗蚀剂下层膜形成用组合物包含末端负载有酸化合物的聚合物、和溶剂。所述酸化合物可以与存在于聚合物末端的碱进行了离子键合。所述末端可以由下述式(I)(式中，A1表示酸化合物，B表示碱性结构，*是与聚合物残基的键合部位)表示。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN116783552A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202280010555.7
申请日：2022-01-25
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：聚合物，上述聚合物包含下述式(1)(在式(1)中，R1表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，L1表示可以被取代基取代的脂肪族环、碳原子数6～40的芳基或杂环)所示的结构单元(A)、和侧链包含脂肪族环且与结构单元(A)不同的结构单元(B)；以及溶剂。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN116194506A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180060635.9
申请日：2021-07-19
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/40
Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：下述式(1)：(在式(1)中，Y1表示至少1个氢原子被氟原子取代了的碳原子数1～10的亚烷基，T1和T2各自独立地表示羟基或羧基，R1和R2各自独立地表示可以被氟原子取代的碳原子数1～10的烷基，n1和n2各自独立地表示0～4的整数)所示的化合物与二环氧化合物的反应生成物；以及有机溶剂。
-
公开(公告)号：CN115667381A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180038914.5
申请日：2021-05-25
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08J7/00 , B32B27/30 , C08L25/00 , C08L53/00 , H01L21/027 , H01L21/312
Abstract: 提供在大气压下的加热时困难的、使嵌段共聚物的微相分离结构相对于基板垂直地诱导了的、包含嵌段共聚物的层、其制造方法、以及使用了进行了垂直相分离的嵌段共聚物层的半导体装置的制造方法。是在小于大气压的压力下在能够发生诱导自组装化的温度下加热而形成的、进行了垂直相分离的嵌段共聚物层。优选上述垂直相分离包含圆筒形状部分。优选上述圆筒形状部分包含PMMA。优选上述加热温度为270℃以上。优选在上述嵌段共聚物层下进一步具有该嵌段共聚物表面能的中性化层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110366768A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201880014924.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02 , C09D179/08 , C09D201/00
Abstract: 提供在半导体装置制造工序中用于将在基板上形成的异物除去的简便方法，提供在这样的方法中使用的用于异物除去的涂膜形成用组合物。在半导体基板上，优选使用包含由(a)四羧酸二酐化合物和(b)具有至少一个羧基的二胺化合物制造的聚酰胺酸、或由(a)四羧酸二酐化合物、(b)具有至少一个羧基的二胺化合物、和(c)二胺化合物制造的聚酰胺酸的组合物在基板上形成涂膜后，将在涂膜上存在的异物利用显影液处理而与涂膜一起除去。
-
公开(公告)号：CN120019330A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380072417.6
申请日：2023-11-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F212/32 , C08F222/40 , H01L21/027
Abstract: 一种下层膜，是下层膜形成用组合物的涂布膜的烧成物，所述下层膜在使用了光致抗蚀剂膜和电子束抗蚀剂膜中的任一抗蚀剂膜以及自组装化膜的光刻中，在作为上述抗蚀剂膜的下层膜而被使用了后，进一步作为上述自组装化膜的下层膜而被使用，上述下层膜形成用组合物含有聚合物和交联剂，上述聚合物具有：具有多环芳香族结构的单元结构(A)和具有反应性基的单元结构(B)，上述交联剂具有能够与上述反应性基反应的官能团。
-
公开(公告)号：CN115916861B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202180051243.6
申请日：2021-08-20
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)表示的化合物、聚合物和有机溶剂。(式(1)中，Y1表示单键、氧原子、硫原子、可以被卤素原子或碳原子数6～40的芳基取代的碳原子数1～10的亚烷基或者磺酰基，T1及T2表示碳原子数1～10的烷基，R1及R2各自独立地表示被至少1个羟基取代的碳原子数1～10的烷基，n1及n2各自独立地表示0～4的整数)。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN118215886A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280073818.9
申请日：2022-11-09
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/26 , C08G59/40 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 一种EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有膜形成成分和溶剂，上述膜形成成分包含20质量％以上的含有特定结构的成分，上述含有特定结构的成分包含含有芳香族环的第1结构和含有氮原子的第2结构中的至少任一者，上述第1结构包含与上述芳香族环直接连接的下述式(1)所示的基团，上述第2结构包含与上述氮原子直接连接的下述式(1)所示的基团。(在式(1)中，R1表示碳原子数1～6的亚烷基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、或总碳原子数2～10的烷氧基烷基。*表示结合键。)*‑R1‑O‑R2。
-
公开(公告)号：CN110546569B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201880027076.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供在曝光时作为防反射膜起作用，并且可以埋入狭窄空间和高长宽比的凹部，进一步相对于过氧化氢水溶液的耐性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、下述式(1a)或式(1b)所示的化合物、和溶剂，相对于上述树脂，含有0.01质量％～60质量％的上述式(1a)或式(1b)所示的化合物。(式中，X表示羰基或亚甲基，l和m各自独立地表示满足3≤l+m≤10的关系式的整数0～5，n表示整数2～5。)#imgabs0#
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.028 seconds)
