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公开(公告)号：CN107108540B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201580058217.0
申请日：2015-10-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07D307/38 , C07D307/42 , C07B61/00
CPC classification number: C07D307/38 , C07B61/00 , C07D307/42
Abstract: 提供用于以良好的收率廉价地制造液晶表示元件等中使用的光聚合性化合物的新型制造方法和新型中间体化合物。一种式(1)所示化合物的制造方法，其中，使式(A)所示化合物与式(C)在金属锡或含锡化合物的存在下在酸性条件下发生反应；一种式(2‑A)所示化合物的制造方法，其中，使式(1)所示化合物与式(D)所示化合物在碱的存在下发生反应；以及，式(1)所示化合物、式(2‑A)所示化合物等。(式中，n表示1或2，J1、J2表示卤素原子，R表示碳原子数1～6的烷基，Y1表示‑SO2‑R2，R表示烃基。)
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公开(公告)号：CN107075302A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580059708.7
申请日：2015-11-09
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C09D183/00 , C07F7/18 , C08G77/14 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种具有固化性、埋入性等良好的效果的膜形成用组合物、用于半导体装置的光刻工序的抗蚀剂下层膜。解决手段是一种膜形成用组合物，其含有作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷含有式(1)：[式(1)中，R1为式(2)表示的有机基团，且R1通过Si‑C键与硅原子键合。]表示的水解性硅烷。膜形成用组合物为光刻工序中所使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜，其是通过在半导体基板上涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物并烧成而得到的。
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公开(公告)号：CN107108541A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580058138.X
申请日：2015-10-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07D307/42 , C07B61/00
Abstract: 提供以良好的收率廉价地制造对于液晶表示元件而言有用的聚合性化合物的新型方法。一种式(3)(n表示下述意义)所示化合物的制造方法，其中，使式(1)(n为1～10的整数，PG是碳原子数为1～2的二烷基缩醛基、1,3‑二噁烷基或1,3‑二氧戊环基，Ar1为亚联苯基等)所示化合物与式(2)(R为碳原子数1～6的烷基)所示化合物在金属锡或含锡化合物和在钯催化剂的存在下在酸性条件下发生反应。
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公开(公告)号：CN107077072A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056230.2
申请日：2015-11-06
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/14 , C09D4/00 , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D183/06 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/2004 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/02123 , H01L21/311
Abstract: 本发明的课题是提供用于形成可以作为硬掩模使用，通过使用了硫酸/过氧化氢等药液的湿蚀刻的方法能够除去的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含(A)成分和(B)成分，(A)成分包含水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)：R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)式(1)〔式(1)中，R1表示式(2)：所示的有机基团且通过Si‑C键与硅原子结合。R3表示烷氧基、酰氧基或卤基。a表示1的整数，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。〕所示的水解性硅烷，(B)成分为包含具有烷氧基甲基或羟基甲基的环结构的交联性化合物、或者具有环氧基或封端异氰酸酯基的交联性化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107075302B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201580059708.7
申请日：2015-11-09
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C09D183/00 , C07F7/18 , C08G77/14 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种具有固化性、埋入性等良好的效果的膜形成用组合物、用于半导体装置的光刻工序的抗蚀剂下层膜。解决手段是一种膜形成用组合物，其含有作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷含有式(1)：[式(1)中，R1为式(2)表示的有机基团，且R1通过Si‑C键与硅原子键合。]表示的水解性硅烷。膜形成用组合物为光刻工序中所使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜，其是通过在半导体基板上涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物并烧成而得到的。
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公开(公告)号：CN107531851A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680026556.5
申请日：2016-07-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C08F230/02 , C09D5/16 , C09D201/02
Abstract: 本发明提供通过使至少包含下述式(A)及(B)(式中，Ta、Tb、Qa、Qb、Ra、Rb、Ua1、Ua2、Ua3、Ub1、Ub2、Ub3、An‑及m如本说明书及权利要求书中所定义的那样)表示的化合物的单体混合物聚合而得到的共聚物等。本发明的共聚物可作为抑制生物材料附着的能力优异的离子复合物材料利用。
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公开(公告)号：CN107108540A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580058217.0
申请日：2015-10-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07D307/38 , C07D307/42 , C07B61/00
CPC classification number: C07D307/38 , C07B61/00 , C07D307/42
Abstract: 提供用于以良好的收率廉价地制造液晶表示元件等中使用的光聚合性化合物的新型制造方法和新型中间体化合物。一种式(1)所示化合物的制造方法，其中，使式(A)所示化合物与式(C)在金属锡或含锡化合物的存在下在酸性条件下发生反应；一种式(2‑A)所示化合物的制造方法，其中，使式(1)所示化合物与式(D)所示化合物在碱的存在下发生反应；以及，式(1)所示化合物、式(2‑A)所示化合物等。(式中，n表示1或2，J1、J2表示卤素原子，R表示碳原子数1～6的烷基，Y1表示‑SO2‑R2，R表示烃基。)
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公开(公告)号：CN107077072B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201580056230.2
申请日：2015-11-06
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供用于形成可以作为硬掩模使用，通过使用了硫酸/过氧化氢等药液的湿蚀刻的方法能够除去的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含(A)成分和(B)成分，(A)成分包含水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)：R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)式(1)〔式(1)中，R1表示式(2)：所示的有机基团且通过Si‑C键与硅原子结合。R3表示烷氧基、酰氧基或卤基。a表示1的整数，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。〕所示的水解性硅烷，(B)成分为包含具有烷氧基甲基或羟基甲基的环结构的交联性化合物、或者具有环氧基或封端异氰酸酯基的交联性化合物。
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公开(公告)号：CN107108541B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201580058138.X
申请日：2015-10-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07D307/42 , C07B61/00
Abstract: 提供以良好的收率廉价地制造对于液晶表示元件而言有用的聚合性化合物的新型方法。一种式(3)(n表示下述意义)所示化合物的制造方法，其中，使式(1)(n为1～10的整数，PG是碳原子数为1～2的二烷基缩醛基、1,3‑二噁烷基或1,3‑二氧戊环基，Ar1为亚联苯基等)所示化合物与式(2)(R为碳原子数1～6的烷基)所示化合物在金属锡或含锡化合物和在钯催化剂的存在下在酸性条件下发生反应。
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