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公开(公告)号：CN118159386A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280071900.8
申请日：2022-10-21
Applicant: 日亚化学工业株式会社 , 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/062 , B23K26/03 , H01L21/301
Abstract: 本发明的激光调整方法具备：第1准备步骤，其取得包含第1损伤的影像的图像，作为第1损伤图像，该第1损伤为通过向包含第1晶圆与设置于上述第1晶圆的第1膜的第1膜晶圆照射第1激光而形成于该第1膜的损伤；第2准备步骤，其准备包含第2晶圆与设置于上述第2晶圆的第2膜的第2膜晶圆；加工步骤，其通过在上述第1准备步骤及上述第2准备步骤之后，对上述第2膜晶圆照射第2激光，而在该第2膜形成第2损伤；摄像步骤，其在上述加工步骤之后，拍摄上述第2膜，由此取得包含上述第2损伤的影像的图像作为第2损伤图像；及调整步骤，其在上述摄像步骤之后，以上述第2损伤图像所包含的上述第2损伤的影像接近上述第1损伤图像所包含的上述第1损伤的影像的方式，调整对上述第2激光赋予的像差。
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公开(公告)号：CN119403324A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411004376.X
申请日：2024-07-25
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H10H20/851 , H10H20/01
Abstract: 本发明提供一种与覆盖部件之间的密合性优异的光学部件的制造方法。所述光学部件的制造方法具有：准备包含荧光体颗粒的多晶体的波长转换部件的准备步骤，所述波长转换部件具有第1表面和位于所述第1表面的相反侧的第2表面；将激光汇聚于所述波长转换部件的内部以在所述波长转换部件的内部形成改质部的形成步骤；及从所述第1表面侧按压所述波长转换部件并以所述改质部为起点来切断所述波长转换部件的切断步骤。
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公开(公告)号：CN114929458B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202080090664.5
申请日：2020-12-07
Applicant: 激光系统有限公司 , 日亚化学工业株式会社
IPC: B29C65/16
Abstract: 本发明的课题在于提供通过光的照射，使含有树脂的构件中的仅所希望的区域充分地升温，来对树脂构件进行加工的方法。而且，本发明的课题还在于，提供用于进行该加工的树脂构件的加工装置及树脂部件的制造方法。解决上述课题的树脂构件的加工方法包括：对含有树脂的第一构件照射使所述树脂电子激发的第一波长的第一光的工序；以及对通过所述第一光的照射被电子激发了的所述树脂照射第二波长的第二光的工序，该第二波长是比所述第一波长更长的波长。所述第二波长包含于通过被电子激发从而所述树脂的光吸收率增大的波长区域。
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公开(公告)号：CN102326232A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008722.1
申请日：2010-02-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 为本广昭
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/073 , B23K26/38 , B28D5/00
CPC classification number: H01L29/0657 , B23K26/0006 , B23K26/3568 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , B28D5/0011 , H01L21/78 , H01L33/0095
Abstract: 本发明的半导体元件的制造方法，其目的在于以高精度分割含有基板的晶片。该半导体元件的制造方法，具有如下工序：激光照射工序，在构成晶片(1)的基板(10)的内部会聚脉冲激光，将在所述基板(10)的内部间隔开的多个加工部(12)沿着分割预定线形成，并且使龟裂(13)发生，该龟裂(13)从加工部(12)至少蔓延至基板(10)的表面且将邻接的加工部(12)连接；晶片分割工序，沿着所述分割预定线分割晶片(1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114929458A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080090664.5
申请日：2020-12-07
Applicant: 激光系统有限公司 , 日亚化学工业株式会社
IPC: B29C65/16
Abstract: 本发明的课题在于提供通过光的照射，使含有树脂的构件中的仅所希望的区域充分地升温，来对树脂构件进行加工的方法。而且，本发明的课题还在于，提供用于进行该加工的树脂构件的加工装置及树脂部件的制造方法。解决上述课题的树脂构件的加工方法包括：对含有树脂的第一构件照射使所述树脂电子激发的第一波长的第一光的工序；以及对通过所述第一光的照射被电子激发了的所述树脂照射第二波长的第二光的工序，该第二波长是比所述第一波长更长的波长。所述第二波长包含于通过被电子激发从而所述树脂的光吸收率增大的波长区域。
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公开(公告)号：CN102326232B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201080008722.1
申请日：2010-02-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 为本广昭
CPC classification number: H01L29/0657 , B23K26/0006 , B23K26/3568 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , B28D5/0011 , H01L21/78 , H01L33/0095
Abstract: 本发明的半导体元件的制造方法，其目的在于以高精度分割含有基板的晶片。该半导体元件的制造方法，具有如下工序：激光照射工序，在构成晶片(1)的基板(10)的内部会聚脉冲激光，将在所述基板(10)的内部间隔开的多个加工部(12)沿着分割预定线形成，并且使龟裂(13)发生，该龟裂(13)从加工部(12)至少蔓延至基板(10)的表面且将邻接的加工部(12)连接；晶片分割工序，沿着所述分割预定线分割晶片(1)。
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公开(公告)号：CN118412275A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410118473.5
申请日：2024-01-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法，能够使半导体元件成为所希望的形状。在半导体元件的制造方法中，从第二面侧对具有蓝宝石基板和半导体结构体的晶圆照射激光，所述蓝宝石基板具有第一面和位于所述第一面相反侧的所述第二面，所述半导体结构体配置在所述第一面侧。所述激光沿着与所述第二面平行的第一方向照射，聚光在所述蓝宝石基板的内部，沿着所述第一方向形成改性部。所述晶圆在形成了所述改性部后被分割，单片化为多个半导体元件。所述激光聚光到比所述蓝宝石基板的厚度的一半更靠所述第二面侧。所述蓝宝石基板包括沿着(10‑14)面或(10‑11)面的多个晶面，所述激光的强度分布在所述第一面内具有从所述激光的强度分布的中心向与所述第一方向交叉的第二方向偏移的强度峰值。
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公开(公告)号：CN111566828B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201880077036.6
申请日：2018-11-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法包含：准备基板(5)上设置有半导体结构的晶片的工序；以及在晶片的基板(5)内的厚度方向上的规定的深度，按规定的间隔距离以第一时间间隔(INT1)脉冲状多次照射激光的工序。在照射激光的工序中，以第一时间间隔(INT1)进行的各激光照射包含：向基板(5)内的厚度方向上的第一聚光位置照射具有第一脉冲能量的第一激光脉冲(LP1)的工序；以及在第一激光脉冲(LP1)的照射后，以比第一时间间隔(INT1)短的3ps～900ps的第二时间间隔(INT2)照射第二激光脉冲(LP2)的工序，其中第二激光脉冲的第二脉冲能量相对于上述第一脉冲能量的强度比设为0.5～1.5。
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公开(公告)号：CN111566828A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201880077036.6
申请日：2018-11-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法包含：准备基板(5)上设置有半导体结构的晶片的工序；以及在晶片的基板(5)内的厚度方向上的规定的深度，按规定的间隔距离以第一时间间隔(INT1)脉冲状多次照射激光的工序。在照射激光的工序中，以第一时间间隔(INT1)进行的各激光照射包含：向基板(5)内的厚度方向上的第一聚光位置照射具有第一脉冲能量的第一激光脉冲(LP1)的工序；以及在第一激光脉冲(LP1)的照射后，以比第一时间间隔(INT1)短的3ps～900ps的第二时间间隔(INT2)照射第二激光脉冲(LP2)的工序，其中第二激光脉冲的第二脉冲能量相对于上述第一脉冲能量的强度比设为0.5～1.5。
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