公开(公告)号：CN109207078A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810726582.X

申请日：2018-07-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 三木香 ,  小坂尚史 ,  靏泽俊浩 ,  木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  杉村敏正 ,  赤泽光治

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/29 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L24/27 ,  C09J7/245 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/122 ,  C09J2423/046 ,  C09J2423/106 ,  C09J2427/006 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/52

Abstract: 提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中对切割带上的割断后的带有DAF的半导体芯片抑制从切割带上浮起的同时扩大分离距离，并且适于实现拾取工序中良好的拾取性的切割带和DDAF。对于本发明的切割带(10)，在以拉伸速度1000mm/分钟的拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm，23℃)中在应变值20％下产生的拉伸应力相对于在以拉伸速度10mm/分钟的拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm，23℃)中在应变值20％下产生的拉伸应力的比值为1.4以上。本发明的DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。

公开(公告)号：CN109207077A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810725608.9

申请日：2018-07-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 小坂尚史 ,  靏泽俊浩 ,  三木香 ,  木村雄大 ,  大西谦司 ,  高本尚英 ,  杉村敏正 ,  赤泽光治

IPC: C09J7/24 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  C09J7/245 ,  C09J2201/122 ,  C09J2423/046 ,  C09J2427/006 ,  H01L21/52 ,  H01L24/27

Abstract: 本发明提供切割带、切割芯片接合薄膜、及半导体装置的制造方法。提供在常温扩展时及之后不易发生带有芯片接合薄膜的半导体芯片的浮起的切割带及使用该切割带的切割芯片接合薄膜。一种切割带，其具有：基材、和层叠在前述基材上的粘合剂层，切割带的至少一个方向的、在23℃的温度条件下进行30％拉伸1000秒之后的应力松弛率为45％以上，前述至少一个方向的、在23℃的温度条件下进行30％拉伸1000秒之后的应力值为4MPa以下。