公开(公告)号：CN105189626A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480018296.8

申请日：2014-03-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 古山了 ,  长井阳三 ,  森山顺一 ,  百合庸介 ,  汤山贵裕 ,  石坂知久 ,  石堀郁夫 ,  吉田健一 ,  前川康成 ,  越川博 ,  八卷徹也 ,  浅野雅春

IPC: C08J7/00 ,  C08J7/12 ,  C08J9/00

CPC classification number: C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2300/00

Abstract: 本公开的方法是一种多孔聚合物膜的制造方法，其包括：以横穿离子束的方式运送带状的聚合物膜，由此对该膜照射离子束，从而形成经离子束中的离子碰撞后的聚合物膜的工序；和对形成的聚合物膜进行化学蚀刻，从而在该膜中形成与离子碰撞的轨迹对应的开口和/或通孔的工序，对聚合物膜照射的离子束为将原离子束(51)的尾部通过非线性聚焦法向离子束中心方向折叠而得到的离子束(11)，所述原离子束由在回旋加速器中加速后的离子构成，并且关于与离子束的行进方向垂直的截面的强度分布，所述原离子束具有以离子束中心为最大强度且随着远离该中心束流强度连续降低的分布图。

公开(公告)号：CN105073855A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480018259.7

申请日：2014-03-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 古山了 ,  村木勇三 ,  长井阳三 ,  网野一郎 ,  百合庸介 ,  汤山贵裕 ,  石坂知久 ,  石堀郁夫 ,  吉田健一 ,  前川康成 ,  越川博 ,  八卷徹也 ,  浅野雅春

IPC: C08J7/00 ,  C08J7/12 ,  C08J9/00

CPC classification number: C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2300/20

Abstract: 本公开的方法包括：工序(I)，对聚合物膜(1)照射由在回旋加速器中加速后的离子(2)构成的离子束，从而形成经该离子束中的离子碰撞后的聚合物膜；和工序(II)，对在工序(I)中形成的聚合物膜进行化学蚀刻，从而在聚合物膜中形成与离子碰撞的轨迹(3)对应的开口(4b)和/或通孔(4a)。在工序(I)中，在离子束的路径上的聚合物膜的上游和/或下游检测离子束的束电流值，并且基于检测出的束电流值控制离子束对聚合物膜的照射条件，使得离子对聚合物膜的照射密度为设定值。本公开的方法适合于多孔聚合物膜的工业生产。