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公开(公告)号：CN116825147A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311027760.7
申请日：2023-08-16
Applicant: 无锡光子芯片联合研究中心 , 光子芯谷科技(无锡)有限公司
IPC: G11B7/0065 , G11B7/09 , G11B7/127 , G11B7/1372 , G11B7/1392 , G11B7/24 , G11B7/241
Abstract: 本发明公开了一种光学装置及飞秒激光直写系统，所述光学装置包括：光源部、空间光调制器、相位图及载物台，所述光源部用于发出激光；所述相位图加载至所述空间光调制器，所述空间光调制器及所述相位图作用于入射激光，并将激光调制为多焦点光场；载物台，所述载物台用于承载样品，所述多焦点光场写入所述样品。利用光源部发出激光，空间光调制器及相位图将激光调制为多焦点光场，多焦点光场对设于载物台的样品进行加工，实现信息的写入。光学装置通过将单束的激光调制为大规模多焦点光场，可以同步实现多个点位信息的写入，能够极大的提高样品的写入效率，能够提高光学装置的实用性。
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公开(公告)号：CN117444439A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311786505.0
申请日：2023-12-25
Applicant: 无锡光子芯片联合研究中心 , 光子芯谷科技(无锡)有限公司
IPC: B23K26/70 , B23K26/00 , B23K101/40
Abstract: 本发明公开了一种光学装置及飞秒激光加工系统，所述光学装置包括：光源部、超长焦深调制模块及载物台，所述光源部用于发出激光；所述超长焦深调制模块用于接收激光，并将激光调制为超长聚焦深度的聚焦光场；所述载物台用于承载样品，所述聚焦光场加工所述样品。利用光源部发出激光，超长焦深调制模块将激光调制为超长聚焦深度的聚焦光场，超长聚焦深度的聚焦光场对设于载物台的样品进行加工。光学装置通过将激光调制为超长聚焦深度的聚焦光场，可以提高激光光针质量的均匀性，也可以提高加工分辨率。光学装置用到晶圆隐切加工时，可以提高加工效率，可以避免晶圆崩边，可以避免芯片内部被破坏，可以提高芯片的性能。
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公开(公告)号：CN221040527U
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202322210405.5
申请日：2023-08-16
Applicant: 无锡光子芯片联合研究中心 , 光子芯谷科技(无锡)有限公司
IPC: G11B7/0065 , G11B7/09 , G11B7/127 , G11B7/1372 , G11B7/1392 , G11B7/24 , G11B7/241
Abstract: 本实用新型公开了一种光学装置及飞秒激光直写系统，所述光学装置包括：光源部、空间光调制器、相位图及载物台，所述光源部用于发出激光；所述相位图加载至所述空间光调制器，所述空间光调制器及所述相位图作用于入射激光，并将激光调制为多焦点光场；载物台，所述载物台用于承载样品，所述多焦点光场写入所述样品。利用光源部发出激光，空间光调制器及相位图将激光调制为多焦点光场，多焦点光场对设于载物台的样品进行加工，实现信息的写入。光学装置通过将单束的激光调制为大规模多焦点光场，可以同步实现多个点位信息的写入，能够极大的提高样品的写入效率，能够提高光学装置的实用性。
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公开(公告)号：CN119339748A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411436695.8
申请日：2024-10-15
Applicant: 无锡光子芯片联合研究中心
IPC: G11B7/08
Abstract: 本发明公开了一种五维光存储设备，五维光存储设备包括转鼓装置及仓储装置，存储介质设于转鼓装置的外周面，转鼓装置带动存储介质转动；转鼓装置设于仓储装置的侧面，存储介质在转鼓装置与仓储装置之间转移。通过利用转鼓装置带动存储介质转动，转动的存储介质可以更快的实现数据的读取或写入。转动的存储介质可以实现更高、更加平稳的转动速度，可以避免存储介质直线往复运动因到达行程止点而产生的频繁加速、减速，可以提高存储介质数据读取或写入的稳定性。仓储装置可以更好的避免存储介质受到外力影响，可以减少存储介质破碎的概率，可以提高存储介质的安全性。
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公开(公告)号：CN119339747A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411436495.2
申请日：2024-10-15
Applicant: 无锡光子芯片联合研究中心
IPC: G11B7/08
Abstract: 本发明公开了一种仓储装置及五维光存储设备。所述仓储装置包括：舱体，所述舱体的内部具有容置空间，多个存储介质叠放于所述容置空间，所述舱体的一端具有入口，所述存储介质通过所述入口进入所述容置空间。通过将存储介质叠放在舱体的容置空间内，舱体可以很好的保护存储介质，可以更好的避免存储介质受到外力影响，可以减少存储介质破碎的概率，可以提高存储介质的安全性。储介质通过舱体的入口进入容置空间，操作简单，便于实现存储介质的储存。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119339746A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411436165.3
申请日：2024-10-15
Applicant: 无锡光子芯片联合研究中心
IPC: G11B7/08
Abstract: 本发明公开了一种转鼓装置及五维光存储设备，所述转鼓装置包括：转鼓体及固定件，所述转鼓体具有若干安置区，所述安置区用于放置存储介质；所述固定件压设于所述存储介质，所述固定件用于使所述存储介质相对于所述转鼓体固定。通过利用固定件将存储介质固定在转鼓体上，从而转动的转鼓体能够带动存储介质转动，转动的存储介质可以更快的实现数据的读取或写入。转动的存储介质可以实现更高、更加平稳的转动速度，可以避免存储介质直线往复运动因到达行程止点而产生的频繁加速、减速，可以提高存储介质数据读取或写入的稳定性。
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公开(公告)号：CN119179171A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411322892.7
申请日：2024-09-23
Applicant: 无锡光子芯片联合研究中心
Abstract: 本发明公开了一种光学装置及激光光源装置，光学装置包括底座、第一入射反射镜组件、双反射组件及第一出射反射镜组件；双反射组件具有前反射面及后反射面，输入光束经第一入射反射镜组件反射后顺次射入前反射面、空间光调制器，空间光调制器将输入光束调整为输出光束，并将其射至后反射面；随后射入第一出射反射镜组件。利用第一入射反射镜组件将输入光束反射至前反射面，随后反射至空间光调制器，将射入的输入光束调制为输出光束，随后将输出光束射至后反射面，后反射面将输出光束反射至第一出射反射镜组件。双反射组件能够邻近空间光调制器设置，输入光束可以自前反射面反射，输出光束也可以自后反射面反射，易于分开，可以节约空间。
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公开(公告)号：CN119457487A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411871639.7
申请日：2024-12-18
Applicant: 无锡光子芯片联合研究中心
IPC: B23K26/38 , B23K26/064 , B23K26/073
Abstract: 本申请提供一种晶锭分片装置、方法及系统，涉及半导体加工。在本申请创造性地采用线性平顶光束进行晶锭分片，即本申请可以将用于晶锭分片的激光转化为平顶光再转化为线性平顶光束，线性平顶光束在其焦平面形成能量均匀分布的线性光斑。基于前述光线整形过程，线性平顶光的光斑长度可以为数十微米，相对于1～2微米的传统圆形光斑，本申请提供的线性平顶光束可以具有更大的作业范围，从而减少晶锭在切片时的移动路径与作业时间，从而显著提高晶锭分片的作业效率。
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公开(公告)号：CN119501324A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411816497.4
申请日：2024-12-10
Applicant: 无锡光子芯片联合研究中心
IPC: B23K26/38 , B23K26/067 , B23K26/082 , B23K26/064 , B23K26/0622 , B23K26/70
Abstract: 本申请披露了一种激光加工装置、碳化硅晶锭的切割方法及激光处理系统。该激光加工装置包括：激光器，用于发射具有预设激光参数的激光光束；分束元件，用于将激光光束分束为沿预设方向排列的多个子光束；球差补偿元件，用于对多个子光束进行球差补偿，并输出多个球差补偿光束；扫描机构，用于对多个球差补偿光束进行聚焦，并利用多个聚焦后的球差补偿光束，以预设切割路径和预设切割速度，对碳化硅晶锭进行切割。对子光束进行球差补偿，能够显著降低聚焦后的子光束在碳化硅晶锭内部的沿光轴方向上的光斑尺寸，减小了微裂纹的生长区域的长度，进而得到高质量的碳化硅晶圆。此外，多个子光束在碳化硅晶锭的表面的覆盖面积更大，这提高了切割效率。
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公开(公告)号：CN119387899A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411812921.8
申请日：2024-12-10
Applicant: 无锡光子芯片联合研究中心
IPC: B23K26/38 , B23K26/067 , B23K26/082 , B23K26/064 , B23K26/0622 , B23K26/70
Abstract: 本申请披露了一种激光加工装置、碳化硅晶锭的切割方法及激光处理系统。该激光加工装置包括：激光器，用于发射具有预设激光参数的高斯光束；光束整形元件，用于将高斯光束整形为线形光束；扫描机构，用于对线形光束进行聚焦，并利用聚焦后的线形光束，以预设切割路径和预设切割速度，对碳化硅晶锭进行切割。相较于聚焦后的高斯光束，聚焦后的线形光束沿光轴的方向上具有小的光斑尺寸，这意味着聚焦后的线形光束在碳化硅晶锭内部的作用深度较浅，从而减小了在加工过程中沿光轴的方向产生的微裂纹的生长区域的长度，进而降低了在碳化硅晶圆表面产生的粗糙度，因此提高了碳化硅晶圆的质量。
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