公开(公告)号：CN102383177A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201010266478.0

申请日：2010-08-30

Applicant: 新疆大学

Inventor： 钟福如 ,  吕小毅 ,  莫家庆 ,  贾振红 ,  江涛

IPC: C25F3/12

Abstract: 一种基于横向电流的电化学腐蚀制备多孔硅材料的新方法。该方法通过垫片(密封圈)将腐蚀面分成内外两个区域，在外区域施加正电流，内区域为负极，进行阳极电化学腐蚀。调节不同电流和腐蚀时间，可以在SOI硅片上制备单层或多层多孔硅。此方法利用成熟的电化学腐蚀工艺，采用的制备方法简单，成本低廉，具有一定的推广价值。

公开(公告)号：CN101710118A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200910113551.8

申请日：2009-12-03

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吕小毅 ,  莫家庆 ,  贾振红 ,  钟福如 ,  李锐

IPC: G01N33/551 ,  G01N33/68 ,  G01N33/569 ,  G02F1/01

Abstract: 一种基于多孔硅三元结构微腔的光学免疫检测方法，属于生物医药、食品安全和环境监测的技术领域。该方法所采用的多孔硅微腔内上、下的Bragg结构分别由三种电流密度交替进行电化学腐蚀而形成，探针分子首先固定在多孔硅孔洞里，然后通过生物反应前后的光谱峰位变化进行检测目标分子浓度；同时利用不同腐蚀条件制备的多孔硅微腔的反射光谱或光致发光光谱进行编码载体，实现对抗原或抗体种类的标识。这种光学免疫检测方法不仅兼具多孔硅和光子带隙结构传感器的诸多优异性能，而且结构稳定性很好，通过编码检测技术更是可以实现多元检测。此外，由于采用的制备方法较为简单，价格相对低廉，有一定的商业应用前景。