公开(公告)号：CN106906432A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201710258147.4

申请日：2017-04-19

Applicant: 新疆大学

Inventor： 李强 ,  常良 ,  刘丛

IPC: C22C45/04 ,  C22C1/06 ,  C22C1/03 ,  C22F1/10 ,  C22F1/02

Abstract: 本发明公开了一种具有近室温磁热效应的钴基块体非晶态合金及其制备方法，是通过以下流程实现：将成分为Co71Mo9P14B6的晶态合金进行Flux提纯处理，时间为4 h。将提纯处理后的合金通过J‑quenching技术制成直径为4.5 mm的棒状Co71Mo9P14B6块体非晶态合金。本发明的特点是：惰性石英试管作为容器有利于块体非晶态合金的形成，且方法简单易行，成本不高。所得的Co71Mo9P14B6块体非晶态合金表现出大的玻璃化形成能力（非晶化临界尺寸达4.5 mm）。在磁热性能方面，其居里温度为317 K。在外加磁场为5 T时，合金的磁熵变为0.96 J kg‑1K‑1，制冷能力为70.5 J kg‑1，是一种很有潜力的室温磁制冷候选材料。

公开(公告)号：CN104910898A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510221725.8

申请日：2015-05-05

Applicant: 新疆大学

Inventor： 张红燕 ,  刘丛 ,  贾振红

IPC: C09K11/54 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明提供了一种光子晶体增强的ZnO/PSM发光材料的制备方法，该方法包括一维多孔硅光子晶体的制备和氧化、ZnO溶胶的制备、一维多孔硅光子晶体的溶胶浸润和高温退火等步骤。优选地，在光子晶体增强的纳米ZnO/PSM发光材料制备的步骤中还包括一维多孔硅光子晶体制备中单晶硅的优选和制备工艺参数优化的步骤，经过上述处理可得到光子晶体增强的ZnO/PSM发光材料。

公开(公告)号：CN106906432B

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201710258147.4

申请日：2017-04-19

Applicant: 新疆大学

Inventor： 李强 ,  常良 ,  刘丛

IPC: C22C45/04 ,  C22C1/06 ,  C22C1/03 ,  C22F1/10 ,  C22F1/02

Abstract: 本发明公开了一种钴基块体非晶态合金的应用，所制得样品用于室温磁制冷材料方面，所述钴基块体非晶态合金通过以下流程制备：将成分为Co71Mo9P14B6的晶态合金进行Flux提纯处理，时间为4h。将提纯处理后的合金通过J‑quenching技术制成直径为4.5mm的棒状Co71Mo9P14B6块体非晶态合金。本发明的特点是：惰性石英试管作为容器有利于块体非晶态合金的形成，且方法简单易行，成本不高。所得的Co71Mo9P14B6块体非晶态合金表现出大的玻璃化形成能力(非晶化临界尺寸达4.5mm)。在磁热性能方面，其居里温度为317K。在外加磁场为5T时，合金的磁熵变为0.96Jkg‑1K‑1，制冷能力为70.5Jkg‑1K‑1，是一种很有潜力的室温磁制冷候选材料。