公开(公告)号：CN106442438A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610641579.9

申请日：2016-11-04

Applicant: 新疆大学

Inventor： 何蕾 ,  贾振红 ,  王佳佳

IPC: G01N21/64

CPC classification number: G01N21/6486 ,  G01N21/6458

Abstract: 本发明公开了一种基于多孔硅的荧光生物传感器基底材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤:S1、在常温环境下用电化学腐蚀法以P型单晶Si为基底制备多层多孔硅样品；S2、制备纳米金胶溶液；S3、将氨基化后的多孔硅样品浸泡在纳米金胶溶液中8小时以得到纳米金修饰后的样品；S4、将量子点溶液滴定在氨基化的多孔硅样品上常温下放置6小时，使得CdSe或ZnS量子点缓慢地沉积在多孔硅薄膜上；S5、对样品进行表面形貌表征、反射谱测量及光致发光测量。利用多孔硅的布拉格结构及纳米金的等离子体效应双重增强嵌入多孔硅中的CdSe/ZnS量子点荧光的方法，成功制备了一种具有较强荧光信号及生物兼容性的QDs/Au/PSi(量子点嵌入纳米金修饰的多孔硅)生物传感器基底材料。