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发明公开
半导体装置及半导体装置的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN118661267A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202380016491.6

申请日：2023-01-26

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 本田真彬 , 北田瑞枝 , 丸山莉香帆

IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/739

Abstract: 本发明的半导体装置包括：半导体基体(110)、多个沟槽(120)、栅极绝缘膜(122)、栅电极(124)、层间绝缘膜(130)、以及表面电极(140)，其中，半导体基体(110)具有伸出区域(115)，该伸出区域从第二导电型半导体区域(113)的底部伸出，并且与沟槽(120)隔开，伸出区域(115)的杂质浓度的峰值位置比第二导电类型半导体区域(113)的底部深，且伸出区域115的深度方向截面的杂质总量与第二导电型半导体区域(113)的深度方向截面的杂质总量相同或更少。根据本发明提供半导体装置，即使在提高了第一导电型半导体层的杂质浓度的情况下，也能够减少开关损耗及栅极驱动损耗，并且不易发生寄生双极效应。

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