公开(公告)号：CN100511724C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200610082446.9

申请日：2006-05-19

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 高村文雄 ,  小池诚二 ,  中村大辅 ,  府川治朗

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0203 ,  C08K3/38 ,  C09K3/10

CPC classification number: H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 以低成本提供能够得到比现有的半导体光传感器更接近相对可见度特性的光谱灵敏度特性的半导体光传感器。具备对大致从400nm到1100nm区域的波长具有高的光谱灵敏度的半导体受光元件和把在遮断红外区域波长的光的同时，使波长在可见光区域的光透过而能够从半导体受光元件得到光电流的量的微粒子分散在透明树脂内的光透过树脂。另外，在半导体受光元件的受光面上配备聚光构造。

公开(公告)号：CN101009338A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610082446.9

申请日：2006-05-19

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 高村文雄 ,  小池诚二 ,  中村大辅 ,  府川治朗

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0203 ,  C08K3/38 ,  C09K3/10

CPC classification number: H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 以低成本提供能够得到比现有的半导体光传感器更接近相对可见度特性的光谱灵敏度特性的半导体光传感器。具备对大致从400μm到1100μm区域的波长具有高的光谱灵敏度的半导体受光元件和把在遮断红外区域波长的光的同时，使波长在可见光区域的光透过而能够从半导体受光元件得到光电流的量的微粒子分散在透明树脂内的光透过树脂。另外，在半导体受光元件的受光面上配备聚光构造。