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公开(公告)号:CN100414702C
公开(公告)日:2008-08-27
申请号:CN200410033803.3
申请日:2004-04-14
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/10 , H01L23/3114 , H01L23/3677 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05026 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/13 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05647 , H01L2924/00014 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147
Abstract: 在批处理中在一晶片上集体地制作多个半导体封装,并然后将该晶片切割以获得分离的半导体封装。半导体封装是通过键合两个或更多半导体器件而形成的堆叠体。每个半导体器件包括衬底和在该衬底上形成的器件布图。这些半导体器件以这样的方式堆叠起来,以致于下面的半导体器件的器件布图表面面向堆叠在其上的半导体器件的非器件布图表面。其中所述堆叠的半导体器件的器件布图是通过在一个半导体器件中同时形成的重新布线层和衬底通透电极而彼此电连接起来的。
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公开(公告)号:CN1538520A
公开(公告)日:2004-10-20
申请号:CN200410033803.3
申请日:2004-04-14
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/10 , H01L23/3114 , H01L23/3677 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05026 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/13 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05647 , H01L2924/00014 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147
Abstract: 在批处理中在一晶片上集体地制作多个半导体封装,并然后将该晶片切割以获得分离的半导体封装。半导体封装是通过键合两个或更多半导体器件而形成的堆叠体。每个半导体器件包括衬底和在该衬底上形成的器件布图。这些半导体器件以这样的方式堆叠起来,以致于下面的半导体器件的器件布图表面面向堆叠在其上的半导体器件的非器件布图表面。
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