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公开(公告)号：CN102971629B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201180029536.0
申请日：2011-04-15
Applicant: 数码传感有限公司
CPC classification number: C12Q1/6837 , B01J19/0046 , B01J2219/00531 , B01J2219/00608 , B01J2219/0061 , B01J2219/00612 , B01J2219/00621 , B01J2219/00626 , B01J2219/00637 , B01J2219/00659 , C12Q1/6834 , G01N33/54393 , C12Q2565/513
Abstract: 公开了使用三维或结构微阵列制备二维微阵列的方法。本发明涉及通过惰性材料在三维微阵列的表面结构上成层来形成限定的功能化区域。然后除去足量的所述惰性材料和足量的表面结构顶部以现出所述惰性材料内表面结构的限定区域。
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公开(公告)号：CN103958174A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280058355.5
申请日：2012-10-12
Applicant: 数码传感有限公司
IPC: B32B3/00
CPC classification number: B32B3/30 , B01J2219/00317 , B01J2219/00509 , B01J2219/00621 , B01J2219/00637 , B01J2219/00653 , B01J2219/00659 , B01J2219/00722 , B01J2219/00725 , B01J2219/0074 , B01L3/5088 , B05D5/00 , B32B2307/202 , C25D1/003 , G01N27/3275 , G01N27/3278 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明涉及一种微阵列结构，其包括基底材料层、在所述基底材料层上的连续三维(3D)表面层和惰性材料，所述连续三维(3D)表面层能够官能化以用作阵列，其中所述结构包括尺寸为毫米至纳米的精确限定且可官能化的分离的区域。所述可官能化的区域为所述连续3D表面层的一部分，并由所述惰性材料分离，并通过所述连续3D表面层在所述结构内互连。
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公开(公告)号：CN103958174B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201280058355.5
申请日：2012-10-12
Applicant: 数码传感有限公司
IPC: B32B3/00
CPC classification number: B32B3/30 , B01J2219/00317 , B01J2219/00509 , B01J2219/00621 , B01J2219/00637 , B01J2219/00653 , B01J2219/00659 , B01J2219/00722 , B01J2219/00725 , B01J2219/0074 , B01L3/5088 , B05D5/00 , B32B2307/202 , C25D1/003 , G01N27/3275 , G01N27/3278 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明涉及一种微阵列结构，其包括基底材料层、在所述基底材料层上的连续三维(3D)表面层和惰性材料，所述连续三维(3D)表面层能够官能化以用作阵列，其中所述结构包括尺寸为毫米至纳米的精确限定且可官能化的分离的区域。所述可官能化的区域为所述连续3D表面层的一部分，并由所述惰性材料分离，并通过所述连续3D表面层在所述结构内互连。
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公开(公告)号：CN102971629A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180029536.0
申请日：2011-04-15
Applicant: 数码传感有限公司
CPC classification number: C12Q1/6837 , B01J19/0046 , B01J2219/00531 , B01J2219/00608 , B01J2219/0061 , B01J2219/00612 , B01J2219/00621 , B01J2219/00626 , B01J2219/00637 , B01J2219/00659 , C12Q1/6834 , G01N33/54393 , C12Q2565/513
Abstract: 公开了使用三维或结构微阵列制备二维微阵列的方法。本发明涉及通过惰性材料在三维微阵列的表面结构上成层来形成限定的功能化区域。然后除去足量的所述惰性材料和足量的表面结构顶部以现出所述惰性材料内表面结构的限定区域。
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