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公开(公告)号：CN112490175B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202011365265.3
申请日：2020-11-28
Applicant: 扬州思普尔科技有限公司 , 扬州大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 面向晶圆显微检测的分级变吸力伯努利吸盘装置及其应用方法，属于图像识别和晶圆检测技术领域。本发明首先使用工业相机采集晶圆图像然后把晶圆图像二值化，接着用相邻阻断法加上八邻域边界跟踪对晶圆进行边界跟踪，其次得到晶圆边界坐标。最后通过格林公式和欧式距离公式计算目标区域晶圆周长与面积，进行比值得到半径R。从工业相机中获得晶圆的半径，用装置改变分级吸盘的大小，改变吸力调节器的位置，从而改变气体的流量大小，进而改变吸盘的吸力大小；改变吸盘的方向，使工业相机可以对准晶圆的平缺口；最后手持吸盘吸取晶圆。
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公开(公告)号：CN112490175A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011365265.3
申请日：2020-11-28
Applicant: 扬州思普尔科技有限公司 , 扬州大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 面向晶圆显微检测的分级变吸力伯努利吸盘装置及其应用方法，属于图像识别和晶圆检测技术领域。本发明首先使用工业相机采集晶圆图像然后把晶圆图像二值化，接着用相邻阻断法加上八邻域边界跟踪对晶圆进行边界跟踪，其次得到晶圆边界坐标。最后通过格林公式和欧式距离公式计算目标区域晶圆周长与面积，进行比值得到半径R。从工业相机中获得晶圆的半径，用装置改变分级吸盘的大小，改变吸力调节器的位置，从而改变气体的流量大小，进而改变吸盘的吸力大小；改变吸盘的方向，使工业相机可以对准晶圆的平缺口；最后手持吸盘吸取晶圆。
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公开(公告)号：CN112880307B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110033300.X
申请日：2021-01-12
Applicant: 扬州大学 , 扬州思普尔科技有限公司
Abstract: 多片晶圆干燥用的多孔介质型稳定可调节气悬浮流场的装置及实现方法，该装置可以解决现有晶圆片在干燥时采用夹持的方式，容易造成晶圆片的破损，其次被夹持的部位不能得到充分的干燥。不采用传统的机械手夹持，采用气悬浮的方式，可以减少晶圆片在夹持过程中因受力不均匀而导致晶圆片损坏。本发明与现有技术相比较体现了其可对多片晶圆片进行悬浮干燥，提高了工作效率。为了实现可调节气流稳定，遮板设计有通孔和栅格孔，当通孔和悬浮台的出气孔同心时，气流速度和对晶圆片的压力不受影响，当遮板转过15°时，此时栅格孔正好与悬浮台出气孔同心，此时气流会变缓，对晶圆片表面的压力会减小。所以可以实现不同厚薄的晶圆片干燥。
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公开(公告)号：CN116503337A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310379839.X
申请日：2023-04-11
Applicant: 扬州大学 , 扬州思普尔科技有限公司
IPC: G06T7/00 , G06V10/82 , G06V10/774 , G06V10/776 , G06V10/24 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了基于双注意力机制的U‑Net的晶圆表面缺陷检测方法，包括：1)建立并处理晶圆表面缺陷样本集；2)搭建基于双注意力机制的U‑Net网络并训练；3)使用测试集对最终的网络进行分析测试。本发明通过在U‑Net网络中收缩路径与扩展路径的跳跃连接部分嵌入两种不同的注意力模块，在低层特征阶段采用通道注意力机制，增大位置及轮廓信息的权重，在高层特征阶段采用空间注意力机制，重点关注输入数据集中的缺陷部分，进一步增强了对目标的关注度；同时为了配合注意力机制，通过对输入的特征图使用膨胀卷积，增大感受野，解决了最大池化后一些细节的丢失问题，进一步提高了对晶圆表面缺陷检测准确率，从而在多种缺陷出现的情况下检测晶圆表面缺陷类型。
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公开(公告)号：CN116721053A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310435047.X
申请日：2023-04-21
Applicant: 扬州思普尔科技有限公司 , 扬州大学
IPC: G06T7/00 , G06V10/762 , G06V10/764 , G06V10/40 , G06V10/22 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/047 , G06N3/045 , G06N3/08
Abstract: 本发明提供的一种基于多通道融合双模块YOLOV7网络的晶圆表面宏观缺陷检测方法，采用K‑means++聚类绝缘子数据集目标框生成锚框，并在原骨干网络中集成AarTern与HboSou双模块，从而提高特征图的表达能力，优化晶圆缺陷目标的特征表示，提高晶圆缺陷目标的检测效果。进一步实现了避免识别晶圆缺陷时复杂背景图像的干扰，提高晶圆缺陷检测的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112880307A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110033300.X
申请日：2021-01-12
Applicant: 扬州大学 , 扬州思普尔科技有限公司
Abstract: 多片晶圆干燥用的多孔介质型稳定可调节气悬浮流场的装置及实现方法，该装置可以解决现有晶圆片在干燥时采用夹持的方式，容易造成晶圆片的破损，其次被夹持的部位不能得到充分的干燥。不采用传统的机械手夹持，采用气悬浮的方式，可以减少晶圆片在夹持过程中因受力不均匀而导致晶圆片损坏。本发明与现有技术相比较体现了其可对多片晶圆片进行悬浮干燥，提高了工作效率。为了实现可调节气流稳定，遮板设计有通孔和栅格孔，当通孔和悬浮台的出气孔同心时，气流速度和对晶圆片的压力不受影响，当遮板转过15°时，此时栅格孔正好与悬浮台出气孔同心，此时气流会变缓，对晶圆片表面的压力会减小。所以可以实现不同厚薄的晶圆片干燥。
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公开(公告)号：CN116364578B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202211531213.8
申请日：2022-12-01
Applicant: 扬州思普尔科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 本申请公开了一种自动上料的半导体晶圆全自动高效去胶装置，包括底部基板、存储单元、移送单元和多个去胶单元，所述底部基板包括多个安装位，多个安装位呈环形等间距分布，其中一个安装位安装所述存储单元，其余的安装位均安装所述去胶单元；所述移送单元能够将任何一个去胶单元内的晶圆移动至所述存储单元内，或者将存储单元内的晶圆移送至任何一个去胶单元内。本申请的去胶装置集成了多个去胶单元，并且具有高效的移送效率，从而整体上提高去胶装置的去胶效率。
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公开(公告)号：CN114273317B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202111482465.1
申请日：2021-12-06
Applicant: 扬州思普尔科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种高洁净度大容量半导体晶圆湿法清洗装置，包括机架和花篮，机架处安装有控制单元和控制面板，所述机架包括第一侧板、第二侧板、前板、背板、第一承载板、第二承载板、底板和顶板，顶板、第一承载板、第二承载板和底板从上到下分布；第一侧板和第二侧板之间连接有滑轨，滑轨处具有能够沿着滑轨移动的起吊装置；第一承载板处具有花篮放置位以及多个清洗位，每个清洗位处具有一个放置通孔，每个放置通孔处具有一个安装于第二承载板处的清洗槽，花篮内能够承载多个半导体晶圆，花篮能够被所述起吊装置的两个倒U形吊杆吊起。本申请的清洗装置能够实现大容量高洁净度的清洗，并且能够对清洗过程进行监控。
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公开(公告)号：CN118486609B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202410671412.1
申请日：2024-05-28
Applicant: 扬州思普尔科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开了一种基于新型腔室结构的半导体晶圆退火炉，包括退火舱、舱门以及安装于退火舱顶部的安装舱，退火舱内具有退火腔，安装舱内具有安装腔，退火腔内固定安装有晶圆载台和加热灯盘，退火腔内还安装有活动单元，安装腔内安装有驱动单元。本申请的半导体晶圆退火炉，通过设置热辐射反射单元，可以对加热灯盘的圆周向外辐射的热量进行反射，从而可以使得加热灯盘的圆周方向温度不易向外辐射，实现对晶圆边缘更好的加热补偿，避免由于晶圆边缘相对于晶圆中央散热更快导致的升温不均，热辐反射单元的高度可以调节，因此对于加热灯盘的边缘热辐射的反射效果可以调节，第一、二反射单元自身具有限位配合结构，避免不正确的温度补偿。
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公开(公告)号：CN114779583A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210232558.7
申请日：2022-03-09
Applicant: 扬州思普尔科技有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种高效定位半导体晶圆加工用显影装置，包括外壳，所述外壳包括部件安装箱、前挡板、底板以及两个相对的侧板，底板处安装有旋转驱动单元，旋转驱动单元驱动转轴转动，转轴处安装有真空载台，侧板处固定有滑轨，前挡板安装有第一轴承，部件安装箱内安装有第一电机，第一轴承和第一电机之间连接有第一丝杆，滑轨处安装有滑块，两个滑块之间连接有活动导杆，活动导杆处安装有滑座；滑座处安装有第一喷嘴安装块和旋转气缸，旋转气缸处安装有第二喷嘴安装块，第一喷嘴安装块处安装有显影液喷嘴，第二喷嘴安装块处安装有清洗液喷嘴和气体喷嘴。本申请的显影装置能够实现对晶圆的显影并且保持装置内部空间的洁净。
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