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公开(公告)号：CN118486609B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202410671412.1
申请日：2024-05-28
Applicant: 扬州思普尔科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开了一种基于新型腔室结构的半导体晶圆退火炉，包括退火舱、舱门以及安装于退火舱顶部的安装舱，退火舱内具有退火腔，安装舱内具有安装腔，退火腔内固定安装有晶圆载台和加热灯盘，退火腔内还安装有活动单元，安装腔内安装有驱动单元。本申请的半导体晶圆退火炉，通过设置热辐射反射单元，可以对加热灯盘的圆周向外辐射的热量进行反射，从而可以使得加热灯盘的圆周方向温度不易向外辐射，实现对晶圆边缘更好的加热补偿，避免由于晶圆边缘相对于晶圆中央散热更快导致的升温不均，热辐反射单元的高度可以调节，因此对于加热灯盘的边缘热辐射的反射效果可以调节，第一、二反射单元自身具有限位配合结构，避免不正确的温度补偿。
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公开(公告)号：CN118486609A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410671412.1
申请日：2024-05-28
Applicant: 扬州思普尔科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开了一种基于新型腔室结构的半导体晶圆退火炉，包括退火舱、舱门以及安装于退火舱顶部的安装舱，退火舱内具有退火腔，安装舱内具有安装腔，退火腔内固定安装有晶圆载台和加热灯盘，退火腔内还安装有活动单元，安装腔内安装有驱动单元。本申请的半导体晶圆退火炉，通过设置热辐射反射单元，可以对加热灯盘的圆周向外辐射的热量进行反射，从而可以使得加热灯盘的圆周方向温度不易向外辐射，实现对晶圆边缘更好的加热补偿，避免由于晶圆边缘相对于晶圆中央散热更快导致的升温不均，热辐反射单元的高度可以调节，因此对于加热灯盘的边缘热辐射的反射效果可以调节，第一、二反射单元自身具有限位配合结构，避免不正确的温度补偿。
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公开(公告)号：CN219435217U
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202223572268.1
申请日：2022-12-31
Applicant: 扬州思普尔科技有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 等离子去胶电极结构，属于半导体制造技术领域。本实用新型改变了电极的结构，采用两个筒状电极，一个在石英腔外面，另一个在石英腔内部，形成同轴电极，内部的电极接地，外部的电极接电源，电磁场分布更加均匀，去胶效率更高、均匀性更好。
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公开(公告)号：CN219163340U
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202223571856.3
申请日：2022-12-31
Applicant: 扬州思普尔科技有限公司
Abstract: 一种晶圆工艺腔室氮气帘结构，属于半导体制造技术领域。包括：上腔道，位于工艺腔室门洞上侧的壁厚内，并通过上狭缝与工艺腔室连通；下腔道，位于工艺腔室门洞下侧的壁厚内，并通过下狭缝与工艺腔室连通；上、下狭缝位置对应；气路管道，一端连接氮气源，另一端分别连通上、下腔道。本实用新型通过给工艺腔室门增加氮气帘，可以隔绝或减少大气进入工艺腔室，提高了工艺效率，提升了产品良率。
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公开(公告)号：CN218895660U
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202223190082.X
申请日：2022-11-30
Applicant: 扬州思普尔科技有限公司
Abstract: 快速退火炉腔室门结构，属于半导体处理设备技术领域，包括腔室门、盖合于腔室门处的腔室封板以及真空通道；腔室门与腔室封板之间设有内密封圈、外密封圈，外密封圈环绕设于内密封圈外，使腔室门、腔室封板、两密封圈之间形成密封环路；腔室门壁厚处设有两道适配内、外密封圈的环形槽，真空通道一端端口位于两环形槽之间以连通密封环路，另一端则连接抽真空设备。本实用新型采用双密封圈结构增强腔室门结构的密封性，利用真空设备、真空度传感器实时监测腔室门处的密封情况，减少了因腔室封板密封不佳导致的废品损失，提高了工艺良率，减少了产品报废。本实用新型还利用自动启闭机构实现腔室门结构的自动打开和关闭，机械化自动化程度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN219717460U
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202320097499.7
申请日：2023-02-01
Applicant: 扬州思普尔科技有限公司
IPC: H01R33/06
Abstract: 快速退火炉卤素灯座，属于灯座技术领域。包括：陶瓷座体，包括主构件、副构件，所述副构件插接安装于主构件；灯管导电端子，具有导电凸块；所述灯管导电端子固定于主构件、副构件之间；灯座导电端子，固定于主构件、灯管导电端子之间，并与灯管导电端子导通；弹簧压板，弹簧压板的一端与灯管导电端子、灯座导电端子、主构件固接，另一端抵住副构件，将副构件与主构件压紧。本实用新型采用弹性压装，保证触点（灯管导电端子和灯座导电端子之间、灯管和灯管导电端子之间）紧密连接，提高了更换效率。
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公开(公告)号：CN219226234U
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202223571957.0
申请日：2022-12-31
Applicant: 扬州思普尔科技有限公司
Abstract: 一种晶圆热处理用冷却盘，属于半导体制造技术领域。其特征是，包括上盖板、下盖板、密封圈、进水口以及出水口，所述上盖板盖合固定于下盖板，并在上、下盖板之间形成过流通道；所述密封圈位于上、下盖板之间，所述进水口、出水口分别连通过流通道。所述下盖板的上表面，在侧边设有一圈密封槽，用于安装密封圈。本实用新型采用密封圈密封，即拆即装，提高了工作效率；本实用新型采用回字形过流通道，增大了冷却水与冷却盘的接触面积，提高了冷却效率。
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公开(公告)号：CN215731612U
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202122099003.3
申请日：2021-09-02
Applicant: 扬州思普尔科技有限公司
Abstract: 一种半导体厚片反应装置，属于半导体技术领域，包括载有晶圆的晶舟、混酸槽、拨动机构以及驱动机构，所述拨动机构位于晶舟下方，所述驱动机构使拨动机构运转，以拨动晶舟插槽内的晶圆。本实用通过实现晶圆在晶舟内滚动，使晶圆与混酸充分接触，解决了晶圆与晶舟接触区域反应不均匀的问题，提高了清洗效率，节约了混酸。
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公开(公告)号：CN219553597U
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202320491554.0
申请日：2023-03-15
Applicant: 扬州思普尔科技有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/673 , H01L21/68 , H01L21/687
Abstract: 齿形导片装置，属于半导体技术领域。包括：立架；导片腔结构，包括两块相对布置的挡板、以及连接两挡板的横杆，两块挡板的侧端分别与立架上部固接；两块挡板的内侧壁分别对称布置有若干匹配晶圆的片槽，形成导片腔；升降机构，安装于立架下部，包括驱动结构、以及与驱动结构相连的升降臂；齿形导片座，安装于升降臂顶部；所述齿形导片座的顶部设有若干匹配晶圆的片槽，齿形导片座的片槽、导片腔的片槽上下一一对应。本实用新型简化结构，可有效避免晶圆在导片过程因错位而导致的破损。
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公开(公告)号：CN219393347U
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202320491552.1
申请日：2023-03-15
Applicant: 扬州思普尔科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 碳化硅加热盒，属于半导体技术领域。加热盒的盒体采用碳化硅材料制成，包括上盖、下盖；上盖的凹陷区域A、下盖的凹陷区域B形成透明晶圆片的容腔。本实用新型中，加热盒材质为碳化硅，有优异的热传导物理性能，可以快速把热量传送到半透明碳化硅晶圆片上。
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