一种辐照环境下宽禁带半导体器件电学性能监测系统

    公开(公告)号:CN119064740A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202411002857.7

    申请日:2024-07-25

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明公开了一种辐照环境下宽禁带半导体器件电学性能监测系统,包括:功率器件辐照电路板,主控电路板,上位机,第一、第二源表,示波器;功率器件辐照电路板包括母板,弯插排针,器件测试座以及子板,主控电路板上设有控制栅极、漏极加压的继电器组,器件栅极,漏极逻辑选通电路,与控制漏极,栅极加压的继电器组联通的第一、第二漏极源表输入电压接线柱以及控制模块;当对某个待测器件进行电学性能监测时,将示波器与待测器件连接;上位机将控制信号传送至控制模块,并对源表的输出电压进行控制,控制模块通过驱动逻辑选通电路控制相应继电器闭合,从而使得第一、第二源表的电压通过相应继电器施加到待测器件上,最终实现对待测器件的监测。

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