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公开(公告)号：CN102332325B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110309719.X
申请日：2011-10-13
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法，将In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末均匀混合后压制成型，所述In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末的质量比为91:5:1:3，然后在1250℃下烧结，制得Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶材，将Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜，该透明导电薄膜最低电阻率可达2.23×10-4Ω·cm，平均透光率在90%以上。本发明工艺简单，采用多元掺杂进一步改善氧化铟基透明导电薄膜导电性能，通过新的高价态元素的掺入提高了材料的导电性，在相同条件下In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜比成熟的ITO有着更低的电阻率。
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公开(公告)号：CN102181826A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110075427.4
申请日：2011-03-28
Applicant: 扬州大学
IPC: C23C14/08 , C23C14/28 , C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法。将In2O3、SnO2、Ga2O3、MoO3粉体和无水乙醇混合经球磨、预合成、再球磨、造粒、成型、烧结、退火，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物InSnGaMo陶瓷靶；将镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)陶瓷靶材置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)透明导电薄膜。本发明制备工艺简单，生产制造容易，可重复性性好，降低了生产成本。InSnGaMo陶瓷靶材具有价格较低，相对密度较高，电阻率更低的特性。InSnGaMo透明导电薄膜具有在高温下结构稳定且具有极低的电阻率(＜10-4Ω·cm)和高的透光率(＞90％)，具有优良的电学和光学特性；同时具有良好的弱酸刻蚀性能。在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102268638A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110188605.4
申请日：2011-07-07
Applicant: 扬州大学
Abstract: In、Nb共掺杂的ZnO基透明导电薄膜及其制备方法，该方法属于功能材料领域。靶材是由高纯In2O3、Nb2O5和ZnO粉末混合固相烧结的陶瓷靶。将In、Nb共掺杂ZnO的陶瓷靶和清洗过的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中，通过调节沉积工艺参数，利用脉冲激光沉积法在不同衬底上，制备出光电性能优良的In、Nb共掺杂的ZnO基透明导电薄膜。本发明简化了镀膜工艺，电子浓度可以可以通过调节靶材中的In、Nb含量控制；实现了多元金属阳离子在同一靶材上的同时掺杂；制备的In、Nb共掺杂的ZnO基透明导电薄膜具有优良的光电性能，电阻率为10-3-10-4Ω·cm，可见光平均透射率超过了87%。该方法所制备的透明导电薄膜在太阳能电池和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102332325A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110309719.X
申请日：2011-10-13
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法，将In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末均匀混合后压制成型，所述In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末的质量比为91:5:1:3，然后在1250℃下烧结，制得Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶材，将Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜，该透明导电薄膜最低电阻率可达2.23×10-4Ω·cm，平均透光率在90%以上。本发明工艺简单，采用多元掺杂进一步改善氧化铟基透明导电薄膜导电性能，通过新的高价态元素的掺入提高了材料的导电性，在相同条件下In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜比成熟的ITO有着更低的电阻率。
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公开(公告)号：CN102181826B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110075427.4
申请日：2011-03-28
Applicant: 扬州大学
IPC: C23C14/08 , C23C14/28 , C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法。将In2O3、SnO2、Ga2O3、MoO3粉体和无水乙醇混合经球磨、预合成、再球磨、造粒、成型、烧结、退火，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物InSnGaMo陶瓷靶；将镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)陶瓷靶材置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)透明导电薄膜。本发明制备工艺简单，生产制造容易，可重复性性好，降低了生产成本。InSnGaMo陶瓷靶材具有价格较低，相对密度较高，电阻率更低的特性。InSnGaMo透明导电薄膜具有在高温下结构稳定且具有极低的电阻率(＜10-4Ω·cm)和高的透光率(＞90％)，具有优良的电学和光学特性；同时具有良好的弱酸刻蚀性能。在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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