一种芯片降温装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107993995A

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201711238370.9

    申请日:2017-11-30

    Abstract: 本发明提供了一种芯片降温装置,包括载板、支架、吸波结构和散热片,待散热的芯片位于载板上。支架安装在载板上,吸波结构放置于所述支架上,且位于芯片上方。所述吸波结构分为三层,从上到下分别是金属谐振单元、电介质层、金属薄膜;所述金属属薄膜的厚度大于电流密度从薄膜表面向内减小到表面电流密度为1/e的深度。所述散热片设置于吸波结构上。本发明结构简单,使用方便,安装灵活,一方面有效的简化了计算机散热装置的体积和结构,另一方面本发明是基于热辐射产生的原因出发进行设计,从原理上解决了热辐射的产生,使芯片散热更彻底。同时,本发明具有易制造、体积小、重量轻等优点。

    一种芯片降温装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107993995B

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN201711238370.9

    申请日:2017-11-30

    Abstract: 本发明提供了一种芯片降温装置,包括载板、支架、吸波结构和散热片,待散热的芯片位于载板上。支架安装在载板上,吸波结构放置于所述支架上,且位于芯片上方。所述吸波结构分为三层,从上到下分别是金属谐振单元、电介质层、金属薄膜;所述金属属薄膜的厚度大于电流密度从薄膜表面向内减小到表面电流密度为1/e的深度。所述散热片设置于吸波结构上。本发明结构简单,使用方便,安装灵活,一方面有效的简化了计算机散热装置的体积和结构,另一方面本发明是基于热辐射产生的原因出发进行设计,从原理上解决了热辐射的产生,使芯片散热更彻底。同时,本发明具有易制造、体积小、重量轻等优点。

    一种芯片降温装置
    3.
    实用新型

    公开(公告)号:CN207781581U

    公开(公告)日:2018-08-28

    申请号:CN201721637638.1

    申请日:2017-11-30

    Abstract: 本实用新型提供了一种芯片降温装置,包括载板、支架、吸波结构和散热片,待散热的芯片位于载板上。支架安装在载板上,吸波结构放置于所述支架上,且位于芯片上方。所述吸波结构分为三层,从上到下分别是金属谐振单元、电介质层、金属薄膜;所述金属属薄膜的厚度大于电流密度从薄膜表面向内减小到表面电流密度为1/e的深度。所述散热片设置于吸波结构上。本实用新型结构简单,使用方便,安装灵活,一方面有效的简化了计算机散热装置的体积和结构,另一方面本实用新型是基于热辐射产生的原因出发进行设计,从原理上解决了热辐射的产生,使芯片散热更彻底。同时,本实用新型具有易制造、体积小、重量轻等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种有效数据检测及并行输出系统

    公开(公告)号:CN208369564U

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201820357401.6

    申请日:2018-03-16

    Abstract: 本实用新型公开了一种有效数据检测及并行输出系统,包括有效数据检测器件、数据存储器件、数据读取器件、时钟分频器件和预配置器件,所述有效数据检测器件通过所述数据存储器件对应连接所述数据读取器件,所述时钟分频器件对应连接所述数据读取器件,所述预配置器件对应连接所述有效数据检测器件、数据存储器件、数据读取器件和时钟分频器件。该系统可自动完成有效数据筛选,避免了对所存储数据进行比对的过程,可达到快速准确获取有效数据的目的;可实现将数据分多路顺序及倒序输出,极大提高了数据处理效率。

    一种太赫兹超材料传感器

    公开(公告)号:CN207937356U

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201820356929.1

    申请日:2018-03-16

    Abstract: 本实用新型公开了一种太赫兹超材料传感器,包括衬底和加工在衬底表面的人工微结构阵列,所述人工微结构包括呈平行关系的第一金属线与第二金属线,以及位于第一金属线与第二金属线之间,且与第一金属线和第二金属线垂直的第三金属线。第一、二金属线与第三金属线产生耦合形成相消干涉从而对入射波呈现透明,使得传感器具有良好的透射性能以及品质因数(Q值),同时具有良好的折射率灵敏度和传感性能,满足折射率传感应用要求。

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