公开(公告)号：CN119945329A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510028413.9

申请日：2025-01-08

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 陈长江 ,  熊雨 ,  杨燕 ,  周金鑫 ,  杨淼 ,  胡靖 ,  彭静 ,  熊俊豪 ,  苏宗成

IPC: H03B5/04 ,  H03B5/24 ,  G06F30/36

Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，具体提供一种低功耗的可调RC振荡器，包括电流电压基准模块、RC振荡核心模块和修调模块。电流电压基准模块输出与修调模块相连，还与RC振荡核心模块相连，用于为RC核心振荡模块提供参考电压和偏置电流，为修调模块提供偏置电流。修调模块输出与RC振荡核心模块相连，用于输出一个随温度变化不敏感电流，对RC核心振荡模块中的电容进行充电。本发明提供的一种低功耗的RC振荡器不仅能保证低功耗，而且拥有极佳的稳定性。本发明解决了传统RC振荡器易受到温度和工艺角影响的技术难点，在保持性能的同时降低功耗，并且不会受到工艺偏差的影响。

公开(公告)号：CN118908708A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410971219.X

申请日：2024-07-19

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 杨燕 ,  熊雨 ,  熊俊豪 ,  周金鑫 ,  甘晁宁

IPC: C04B35/26 ,  H01P1/19 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645

Abstract: 一种低线宽的低温烧结旋磁铁氧体移相器基板及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述的铁氧体基板材料为Ni0.18Cu0.2Zn0.62Bi0.02Fe1.98O4‑纳米LiZn尖晶石型旋磁铁氧体(以下简称为NCZB‑纳米LiZn)材料，本发明提供一种热压烧结工艺，制备具有低线宽的低温烧结旋磁铁氧体移相器基板。在材料配方上，采用Bi3+离子取代NiCuZn铁氧体，实现铁氧体的低温烧结特性。此外，为了进一步获得更低的线宽，采用纳米LiZn铁氧体掺杂，进一步优化NiCuZn铁氧体的铁磁共振线宽，并结合热压烧结工艺控制晶粒生长，最终获得低线宽的低温烧结旋磁铁氧体移相器基板材料。满足微波移相器在5G/6G通信基站、有源相控阵雷达的广泛应用需求。