公开(公告)号：CN119876850A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510225392.X

申请日：2025-02-27

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 刘利芹 ,  黄张淋 ,  曾体贤 ,  孙辉

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/02 ,  C23C14/58 ,  C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  C23C14/30 ,  G02B1/10

Abstract: 本发明涉及高损伤阈值光学薄膜技术领域，特别是涉及一种近红外长波下高激光损伤阈值氧化钽薄膜及其制备方法，包括以下步骤，使用强氧化无机溶剂对衬底材料进行清洗，去离子水洗净后使用有机溶剂清洗，氮气吹干后烘干，得到干净的衬底；在干净的衬底上沉积氧化钽，得到沉积氧化钽的衬底；对沉积氧化钽的衬底进行快速退火，得到镀氧化钽的衬底。本发明采用上述步骤的一种近红外长波下高激光损伤阈值氧化钽薄膜及其制备方法，采用快速退火有效提高了氧化钽薄膜在近红外长波处的激光损伤阈值，相对于未退火的膜层，激光损伤阈值提高了约190%，并大大缩短制备时间。

公开(公告)号：CN119717084A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202510224215.X

申请日：2025-02-27

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 刘利芹 ,  曾体贤 ,  孙辉 ,  黄张淋

IPC: G02B1/115 ,  G02B1/10

Abstract: 本发明涉及光学薄膜设计与制备技术领域，特别是涉及一种中红外宽带增透膜及其制备方法和应用，宽带增透膜的结构为AIR|(aLbH)c|SUB|(bHaL)c|AIR，其中，SUB代表衬底，AIR代表入射介质和出射介质，H代表高折射膜层，高折射率值2~3.5，L代表低折射率膜层，低折射率值1~1.8，b和a分别代表高低折射率膜层λ/4光学厚度，c为周期数，1≤c≤3。本发明采用上述结构的一种中红外宽带增透膜，通过高折射率膜层材料和低折射率膜层材料相互搭配，可设计得到膜系结构简单、高透过率的中红外宽带增透膜，对于提升红外光学器件的性能、拓宽其应用范围具有重要意义。

公开(公告)号：CN118637554A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202411106543.1

申请日：2024-08-13

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 刘利芹

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  G02B5/00

Abstract: 本发明公开了一种传感芯片制备方法、传感芯片及应用，属于传感芯片制备领域，包括以下步骤：S1、制备掩膜图形；S2、制备样片：S21、清洗玻璃基底；S22、在玻璃基底上沉淀金属膜层；S23、在金属膜层上旋涂光刻胶，并进行前烘；S3、用光刻机对样片进行曝光，通过调整曝光剂量，得到多种结构阵列的光刻图形潜像；S4、利用显影液对曝光后的样片进行显影；S5、将光刻图形通过刻蚀传递到金属膜层；S6、去除残留光刻胶。本发明采用上述传感芯片制备方法、传感芯片及应用，仅通过调控曝光剂量范围，即可实现利用一个掩膜圆孔阵列的掩膜图形，制备沟槽形、菱形、三角形、圆形阵列等一系列不同结构类型的传感芯片。