公开(公告)号：CN108667087A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201710946260.1

申请日：2017-10-12

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： P·拉比耶

IPC: H02J7/00

CPC classification number: H02H9/04 ,  B60L1/00 ,  H01L29/87 ,  H02H7/18 ,  H02H9/041 ,  H02J7/0029

Abstract: 本文公开了过电压保护设备。在一些实施例中，一种设备包括：具有高于或等于电源电压的击穿电压的双向二极管；以及具有高于或等于电源电压的击穿电压的单向二极管，双向二极管和单向二极管串联。二极管中的一个二极管是雪崩二极管，另一个二极管是肖克利二极管。

公开(公告)号：CN108667087B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201710946260.1

申请日：2017-10-12

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： P·拉比耶

IPC: H02J7/00

Abstract: 本文公开了过电压保护设备。在一些实施例中，一种设备包括：具有高于或等于电源电压的击穿电压的双向二极管；以及具有高于或等于电源电压的击穿电压的单向二极管，双向二极管和单向二极管串联。二极管中的一个二极管是雪崩二极管，另一个二极管是肖克利二极管。

公开(公告)号：CN115700905A

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202210836125.2

申请日：2022-07-15

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： O·奥里 ,  P·拉比耶

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  G01R31/26 ,  G01R31/28

Abstract: 本发明涉及一种电子管芯制造方法，包括：a)在半导体衬底的第一表面侧上沉积电绝缘树脂层，电绝缘树脂层的内部和顶部已经预先形成了多个集成电路，半导体衬底在与第一表面相对的第二表面上支撑接触焊盘；以及b)在半导体衬底的第二表面侧上形成第一沟槽，该第一沟槽将集成电路彼此电隔离，第一沟槽在半导体衬底中垂直延伸并伸出到树脂层中或在树脂层的顶部。

公开(公告)号：CN207542810U

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201721311796.8

申请日：2017-10-12

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： P·拉比耶

IPC: H02J7/00 ,  H02H9/04

CPC classification number: H02H9/041 ,  B60L1/00 ,  H01L29/87 ,  H02J7/0029

Abstract: 本文公开了保护设备和保护系统。在一些实施例中，一种设备包括：具有高于或等于电源电压的击穿电压的双向二极管；以及具有高于或等于电源电压的击穿电压的单向二极管，双向二极管和单向二极管串联。二极管中的一个二极管是雪崩二极管，另一个二极管是肖克利二极管。