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公开(公告)号:CN1263099C
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200410006812.3
申请日:2004-02-24
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 东京磁气印刷株式会社
IPC: H01L21/302 , C09K3/14 , C09G1/00 , C25F3/16 , H01L21/3213 , H01L21/00
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及一种化学机械抛光浆液,其包含抛光微粒、作为氧化剂的硝酸铵,作为铜金属膜抛光促进剂的1,2,4-三唑和水,并且其pH为3至4。该抛光浆液适宜于形成波纹状的包含钽基金属作为阻挡层金属膜材料的铜基金属互连。
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公开(公告)号:CN1524918A
公开(公告)日:2004-09-01
申请号:CN200410006812.3
申请日:2004-02-24
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 东京磁气印刷株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/00 , C25F3/16 , H01L21/3213 , H01L21/302 , H01L21/00
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及一种化学机械抛光浆液,其包含抛光微粒、作为氧化剂的硝酸铵,作为铜金属膜抛光促进剂的1,2,4-三唑和水,并且其pH为3至4。该抛光浆液适宜于形成波纹状的包含钽基金属作为阻挡层金属膜材料的铜基金属互连。
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公开(公告)号:CN1238455C
公开(公告)日:2006-01-25
申请号:CN03152484.2
申请日:2003-08-01
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 东京磁气印刷株式会社
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及用于化学机械抛光的淤浆,其包括硅石抛光材料、氧化剂、苯并三唑基化合物、二酮和水。
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公开(公告)号:CN1483780A
公开(公告)日:2004-03-24
申请号:CN03152484.2
申请日:2003-08-01
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 东京磁气印刷株式会社
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及用于化学机械抛光的淤浆,其包括硅石抛光材料、氧化剂、苯并三唑基化合物、二酮和水。
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