公开(公告)号：CN109155452A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780030174.4

申请日：2017-05-24

Applicant: 德州仪器公司 ,  德州仪器德国股份有限公司

Inventor： 马修·大卫·罗米格 ,  罗伯特·克莱尔·凯勒 ,  李明 ,  唐逸麒

IPC: H01Q1/00

Abstract: 在所描述实例中，一种散热天线(320)包含结合到高频天线或天线阵列(112)的低衰减热量散布器(202)。集成电路(100)包含无线集成电路芯片(108)。所述散热天线(320)耦合到所述无线集成电路芯片(108)。

公开(公告)号：CN114174841B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202080033828.0

申请日：2020-05-06

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 李明 ,  唐逸麒 ,  陈洁 ,  埃尼斯·通杰尔 ,  奥斯曼·马哈茂德·乔杜里 ,  托尼·拉伊·拉森 ,  拉延·马尼孔·穆鲁甘 ,  约翰·保罗·特尔坎普 ,  萨蒂延德拉·辛格·肖罕

IPC: G01R15/20

Abstract: 本发明揭示一种霍尔效应传感器封装(200)，其包含：IC裸片(180)，其包含霍尔效应元件；及引线框架，其包含在第一侧上以提供第一场产生电流(FGC)路径的引线及所述封装的第二侧上的第二引线(160、161、162、163)，所述第一FGC路径包含由所述霍尔效应传感器元件上方或下方的减小宽度的第一弯曲头(120c)耦合到>1个第一FGC输出引脚(120b)的>1个第一FGC输入引脚(120a)。所述第二侧上的一些引线附接到所述IC裸片上包含所述霍尔效应元件的输出的接合垫(181)。夹子(130)在一端(130a)处附接到所述第一FGC输入引脚且在另一端(130b)处附接到所述第一FGC输出引脚上的位置以在所述一端(130a)与所述另一端(130b)之间在所述霍尔效应传感器元件上方或下方具有与所述第一头相对的减小宽度的第二弯曲头(130c)。

公开(公告)号：CN116261777A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202180049888.6

申请日：2021-07-26

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 唐逸麒 ,  R·M·穆卢干 ,  C·M·古普塔 ,  陈洁

IPC: H01L21/52

Abstract: 一种半导体装置(100)包含具有输入端口(142)及输出端口(146)的裸片(112)。所述半导体装置(100)还包含多层封装衬底(108)，在所述多层封装衬底(100)的表面(128)上具有经配置以耦合到印刷电路板(104)的电路组件的垫(120)。所述多层封装衬底(108)还包含包括输入端口(154)及输出端口(156)以及平面电感器(162)的无源滤波器(150)。所述平面电感器(162)用所述多层封装衬底(108)的第一通路(178)耦合到所述多层封装衬底(108)的所述垫(120)中的给定垫(172)且用所述多层封装衬底(108)的第二通路(180)耦合到所述裸片(112)的所述输入端口(142)。所述平面电感器(162)平行于所述多层封装衬底(108)的所述表面(128)延伸。

公开(公告)号：CN119856286A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380064855.8

申请日：2023-09-29

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 胡安·赫布佐默 ,  唐逸麒 ,  R·M·穆卢干

IPC: H01L23/66 ,  H01L25/16 ,  H01L23/498 ,  H01Q1/22 ,  H01L21/48

Abstract: 在一些实例中，一种半导体封装(100)包含：半导体管芯(98)；耦合到所述半导体管芯的导电部件(102)；以及多层封装衬底。所述多层封装衬底包含：提供接地连接的第一水平金属层(104)；在所述第一水平金属层上方的第二水平金属层(105)；耦合到所述第一和第二水平金属层的竖直部件(108B、108D、110B、110D、112B、112D)；以及覆盖所述第一和第二水平金属层以及所述竖直部件的模塑料。所述第一水平金属层、所述第二水平金属层和所述竖直部件一起形成包含耦合到所述导电部件的导电带(106)、耦合到所述导电带的过渡部件(108)、耦合到所述过渡部件的波导(110)以及耦合到所述波导的喇叭天线(112)的结构。

公开(公告)号：CN118679558A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202380021360.7

申请日：2023-03-31

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 唐逸麒 ,  V·S·斯里达兰 ,  R·M·穆卢干 ,  P·F·汤普森

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/03 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 所描述的实例(475)包含：重构的半导体装置(451)，其倒装芯片安装在封装衬底(453)的装置侧表面(449)上，所述封装衬底具有用于将所述封装衬底连接到电路板的端子(457)，所述重构的半导体装置进一步包含：半导体裸片(402)，其安装在介电层(405)中且具有彼此至少间隔开小于100微米的第一间距距离的键合焊盘；重布层(415)，其形成于所述键合焊盘上方，在钝化层中具有导体；所述重布层上的焊料凸块，所述焊料凸块耦合到所述半导体裸片的所述键合焊盘，所述焊料凸块彼此至少间隔开第二间距距离，所述第二间距距离大于所述第一间距距离；以及焊接接头，其形成于所述封装衬底与所述焊料凸块之间，所述焊接接头将所述封装衬底耦合到所述重构的半导体装置中的所述半导体裸片。

公开(公告)号：CN118116895A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311554212.X

申请日：2023-11-21

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 唐逸麒 ,  R·M·穆卢干 ,  C·M·古普塔 ,  陈洁 ,  J·M·威廉森

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/552 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本申请案涉及利用接地模具互连件的电子装置封装EMI屏蔽。一种电子装置(100)包含多层级封装衬底(120)、半导体裸片(110)和模制封装结构(108)，其中所述多层级封装衬底(120)具有相对的第一衬底侧和第二衬底侧(136，138)、沿着所述第一衬底侧(136)彼此间隔开的第一导电衬垫和第二导电衬垫(112，121)，以及沿着所述第二衬底侧(138)暴露且电耦合到所述第二导电衬垫(121)的导电衬底端子(131，134)。所述半导体裸片(110)附接到所述第一衬底侧(136)且具有相对的第一裸片侧和第二裸片侧，和沿着所述第一裸片侧的裸片端子(111)，所述裸片端子(111)电耦合到所述第一导电衬垫(112)。所述模制封装结构具有封装侧(114)、沿着所述封装侧(114)的金属屏蔽件(109)，以及延伸穿过所述模制封装结构(108)且将所述金属屏蔽件(109)电耦合到所述第二导电衬垫(121)的导电封装通孔(107)。

公开(公告)号：CN117882190A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202280058290.8

申请日：2022-09-21

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 唐逸麒 ,  R·M·穆卢干

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/00 ,  H01L23/482

Abstract: 电子装置(100)包含裸片(108)、封装结构(120)和多层重新分布结构(110)，所述多层重新分布结构具有第一通孔(111)、第一层级、第二通孔(113)、第二层级和钝化材料(119)。所述第一层级(111)具有导电天线(130)，所述第一通孔(111)在所述导电天线(130)与所述裸片(108)的导电端子(109)之间延伸，并且所述钝化材料(119)在所述第一和第二层级之间延伸。所述第二通孔(113)在所述第一和第二层级之间延伸穿过所述钝化材料(119)。所述第二层级具有导电反射器(138)。

公开(公告)号：CN114174841A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080033828.0

申请日：2020-05-06

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 李明 ,  唐逸麒 ,  陈洁 ,  埃尼斯·通杰尔 ,  奥斯曼·马哈茂德·乔杜里 ,  托尼·拉伊·拉森 ,  拉延·马尼孔·穆鲁甘 ,  约翰·保罗·特尔坎普 ,  萨蒂延德拉·辛格·肖罕

IPC: G01R15/20

Abstract: 本发明揭示一种霍尔效应传感器封装(200)，其包含：IC裸片(180)，其包含霍尔效应元件；及引线框架，其包含在第一侧上以提供第一场产生电流(FGC)路径的引线及所述封装的第二侧上的第二引线(160、161、162、163)，所述第一FGC路径包含由所述霍尔效应传感器元件上方或下方的减小宽度的第一弯曲头(120c)耦合到>1个第一FGC输出引脚(120b)的>1个第一FGC输入引脚(120a)。所述第二侧上的一些引线附接到所述IC裸片上包含所述霍尔效应元件的输出的接合垫(181)。夹子(130)在一端(130a)处附接到所述第一FGC输入引脚且在另一端(130b)处附接到所述第一FGC输出引脚上的位置以在所述一端(130a)与所述另一端(130b)之间在所述霍尔效应传感器元件上方或下方具有与所述第一头相对的减小宽度的第二弯曲头(130c)。

公开(公告)号：CN118715669A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202380022660.7

申请日：2023-03-27

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 胡安·亚力杭德罗·赫布佐默 ,  唐逸麒 ,  R·M·穆卢干

IPC: H01Q1/22 ,  H01Q1/52 ,  H01Q9/04 ,  H01Q21/06

Abstract: 所描述的实例包含一种设备(200)，其具有形成于多层封装衬底(204)的第一表面上的第一层中的第一天线(207‑1)和第二天线(207‑2)，所述多层封装衬底具有包含图案化导电部分和介电部分的层，所述多层封装衬底具有与所述第一表面相对的第二表面。所述设备还具有：隔离壁(217)，其形成于所述多层封装衬底中，形成于所述多层封装衬底中的至少第二层和第三层中；以及半导体裸片(202)，其安装到所述多层封装衬底的所述第一表面，与所述第一天线和所述第二天线间隔开且耦合到所述第一天线和所述第二天线。

公开(公告)号：CN118116918A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311546320.2

申请日：2023-11-20

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 唐逸麒 ,  R·M·穆卢干 ,  A·N·乔加莱卡尔

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/538 ,  H01Q1/22

Abstract: 本申请的实施例涉及槽形蝴蝶结封装上天线。一种示例性半导体封装(101)包括：半导体管芯(102)，其具有顶部表面；钝化层，其在所述顶部表面上方；第一金属层(103)，其在第一钝化层上；天线(105)，其形成于所述第一金属层(103)中且从所述半导体管芯(102)偏移，所述天线(105)具有槽形蝴蝶结配置；传输线(106)，其形成于所述第一金属层(103)中，所述传输线(106)将所述半导体管芯(102)耦合到所述天线(105)；以及绝缘材料，其将所述第一金属层(103)与第二金属层(104)分离，所述第二金属层(104)被配置成充当用于所述天线(105)的接地反射器。所述第二金属层(104)可在所述天线(105)和所述半导体管芯(102)下方延伸。