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公开(公告)号：CN110459484B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN201910374896.2
申请日：2019-05-07
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/495
Abstract: 本申请涉及用于封装的垂直半导体器件的图案化管芯焊盘，并公开一种用于形成封装的半导体器件(100)的半导体器件封装的方法，该方法包括提供(i)垂直功率半导体器件管芯(120)和(ii)引线框架，该垂直功率半导体器件管芯(120)包括半导体衬底(105)，包括控制节点、在衬底的顶侧上或底侧上的源极或发射极、以及在顶侧和底侧中的另一个上的漏极或集电极、在底侧上的背侧金属(BSM)层(111)。引线框架包括图案化管芯焊盘(140)，该图案化管芯焊盘(140)包括公共连续基部(140a)和从基部向上延伸的间隔开的柱(141a、141b、141c、141d)的二维阵列(140b)，在柱的顶部上具有单独的焊帽(146a、146b、146c、146d)。BSM层放置在焊帽上，并且回流处理将BSM层接合到焊帽。
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公开(公告)号：CN107808867B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201710795670.0
申请日：2017-09-06
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本申请公开了一种引线框架(200B)，该引线框架(200B)具有第一子集的引线(201、202、231、232)，其与第二子集的引线(241)交替。该第一子集和第二子集的引线具有在平面阵列中彼此平行的细长直引线部分。绝缘材料的覆盖层(260)位于未包封的引线表面部分(241a)上方。该第一子集和第二子集的不具有覆盖层的引线部分(241b)具有产生对焊料润湿的亲和性的冶金配置。
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公开(公告)号：CN110459484A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910374896.2
申请日：2019-05-07
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/495
Abstract: 本申请涉及用于封装的垂直半导体器件的图案化管芯焊盘，并公开一种用于形成封装的半导体器件(100)的半导体器件封装的方法，该方法包括提供(i)垂直功率半导体器件管芯(120)和(ii)引线框架，该垂直功率半导体器件管芯(120)包括半导体衬底(105)，包括控制节点、在衬底的顶侧上或底侧上的源极或发射极、以及在顶侧和底侧中的另一个上的漏极或集电极、在底侧上的背侧金属(BSM)层(111)。引线框架包括图案化管芯焊盘(140)，该图案化管芯焊盘(140)包括公共连续基部(140a)和从基部向上延伸的间隔开的柱(141a、141b、141c、141d)的二维阵列(140b)，在柱的顶部上具有单独的焊帽(146a、146b、146c、146d)。BSM层放置在焊帽上，并且回流处理将BSM层接合到焊帽。
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公开(公告)号：CN107808867A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710795670.0
申请日：2017-09-06
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49558 , H01L23/3114 , H01L23/49503 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L23/49586 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/1032 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/1037 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H02M3/158
Abstract: 本申请公开了一种引线框架(200B)，该引线框架(200B)具有第一子集的引线(201、202、231、232)，其与第二子集的引线(241)交替。该第一子集和第二子集的引线具有在平面阵列中彼此平行的细长直引线部分。绝缘材料的覆盖层(260)位于未包封的引线表面部分(241a)上方。该第一子集和第二子集的不具有覆盖层的引线部分(241b)具有产生对焊料润湿的亲和性的冶金配置。
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