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发明公开
用于对跨无机电隔离屏障的超快高压瞬变实现高抗扰度的工艺和方法审中-实审

公开(公告)号：CN113678252A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202080024842.4

申请日：2020-03-30

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·A·韦斯特 , T·D·博尼费尔德 , Y·达科 , M·杉本

IPC: H01L27/06 , H01L29/94 , H01L49/02

Abstract: 一种微电子装置(100)包含具有上板(132)和下板(130)的高压部件(104)。在微电子装置的基底(102)的表面处，上板通过上板和低压元件(106)之间的主电介质(136)与下板隔离。下带隙电介质层(140)设置在上板和主电介质之间。下带隙电介质层包含折射率在2.11和2.23之间的氮化硅的至少一个子层(144)。下带隙电介质层围绕上板连续延伸超过上板。下带隙电介质层具有环绕上板的隔离断口(150)，该隔离断口距上板的距离是下带隙电介质层的厚度的至少两倍。

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