公开(公告)号：CN117894801A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311324407.5

申请日：2023-10-12

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： K-S·金 ,  M·涩谷 ,  J·斯特赖敦

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H02M1/088 ,  H02M1/00

Abstract: 本申请公开了半导体器件及其制造方法。一个示例包括一种装置(200)，其包括绝缘层(204)和在绝缘层上的导电层(206)。导电层(206)包括多个电隔离的导电区域(210、212、214)。第一开关(230)在导电区域中的第一导电区域(210)上，并且第一开关具有第一端子和第二端子。第二开关(232)在导电区域中的第二导电区域(212)上，并且第二开关具有第三端子和第四端子。无源部件(233、235)具有第五端子和第六端子。第一端子和第三端子被耦合到第一导电区域(210)。第四端子和第六端子被耦合到第二导电区域(212)。第二端子和第五端子被耦合到导电区域中的第三导电区域(214)。

公开(公告)号：CN116504750A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310039125.4

申请日：2023-01-12

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： M·涩谷 ,  K-S·金

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请公开了具有场效应晶体管的IC封装件。一种IC封装件(100)包括互连件(108)，其具有间隔开的第一平台(112)和第二平台(116)。IC封装件(100)包括管芯(104)，其与互连件(108)的第一平台(112)的一部分叠置。管芯(104)具有场效应晶体管(FET)和位于管芯(102)表面上的用于FET的焊盘矩阵(120)。焊盘矩阵(120)具有源极焊盘排(124)和漏极焊盘排(128)。漏极键合线(152)从第一漏极焊盘(140)延伸到漏极焊盘排(128)的第二漏极焊盘(144)并延伸到互连件(108)的第一平台(112)。源极键合线(160)从第一源极焊盘(132)延伸到源极焊盘排(124)的第二源极焊盘(136)，在第一源极焊盘(132)上方返回，且耦合到第一平台(112)的连接区域(114)。