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发明公开
对加强型隔离技术的电流高压隔离能力增强审中-实审

公开(公告)号：CN115706095A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210965212.8

申请日：2022-08-12

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： E·S·康斯特纳 , J·A·韦斯特 , T·D·博尼费尔德

IPC: H01L23/64

Abstract: 本申请公开了对加强型隔离技术的电流高压隔离能力增强。一种微电子装置(100)包括半导体衬底和衬底上方的高压隔离电容器(104)。电容器(104)包括衬底上方的底部电容器板。电介质层(122)在底部电容器板上方形成，包括顶部电介质层(122a)。在顶部电介质层(122a)上的高电介质层(140)至少包括第一子层(142)，该第一子层具有高于顶部电介质层(122a)的介电常数的第一介电常数。在底部电容器板上方的高电介质层(140)上形成顶部电容器板(132)。电场消减结构(150)围绕顶部电容器板(132)。电场消减结构(150)包括高电介质层(140)的从底部电容器板(132)的下角(133)向外延伸至少14微米的搁板(155)，以及高电介质层(140)中经过搁板(155)的隔离断口(152)，其中第一子层(142)从隔离断口(152)去除。

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