公开(公告)号：CN106574388A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580043625.9

申请日：2015-08-11

Applicant: 微软技术许可有限责任公司

Inventor： M·T·麦克科麦 ,  A·A·菲希尔 ,  R·马斯特 ,  F·谢里夫 ,  D·汤姆 ,  Z·阿拉姆

IPC: C25D5/10 ,  C25D7/00 ,  H01R13/03

CPC classification number: G06F1/163 ,  C25D3/50 ,  C25D3/62 ,  C25D5/10 ,  C25D7/00 ,  G06F1/1684 ,  H01R13/03

Abstract: 包括电子组件和经镀覆的接触的电子设备，该电子组件配置用于接收电流，该经镀覆的接触电耦合到该电子组件并被配置来将电流从在该设备外部的系统载入到该电子组件。经镀覆的接触包括铜合金层、镀覆在该铜合金层之上的铂族金属(PGM)层以及镀覆在该PGM层之上的金合金层。

公开(公告)号：CN113366620B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202080010909.9

申请日：2020-01-04

Applicant: 微软技术许可有限责任公司

Inventor： M·T·麦克科麦 ,  L·C·科杜斯二世 ,  A·梅达

IPC: H01L21/66

Abstract: 公开了一种验证集成电路芯片不易受导电金属离子扩散缺陷影响的方法。测试组件被施加到集成电路芯片的背面以形成测试组装件。测试组件包括用于促进导电金属离子的扩散的导电金属层和传输介质层。测试组装件在热激活温度下被加热。该集成电路芯片被计算机验证以确定该集成电路芯片是否具有导电金属离子扩散缺陷。

公开(公告)号：CN113366620A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202080010909.9

申请日：2020-01-04

Applicant: 微软技术许可有限责任公司

Inventor： M·T·麦克科麦 ,  L·C·科杜斯二世 ,  A·梅达

IPC: H01L21/66

Abstract: 公开了一种验证集成电路芯片不易受导电金属离子扩散缺陷影响的方法。测试组件被施加到集成电路芯片的背面以形成测试组装件。测试组件包括用于促进导电金属离子的扩散的导电金属层和传输介质层。测试组装件在热激活温度下被加热。该集成电路芯片被计算机验证以确定该集成电路芯片是否具有导电金属离子扩散缺陷。