公开(公告)号：CN118584165A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410587618.6

申请日：2024-05-13

Applicant: 强一半导体(上海)有限公司

Inventor： 王兴刚 ,  印体健 ,  于海超

IPC: G01R3/00 ,  G01R1/067

Abstract: 本发明公开了一种探针及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上电镀出第一主体层；在所述第一主体层上电镀出针尖层，所述针尖层包括相对的第一端和第二端；在所述针尖层上电镀出第二主体层，以形成探针，其中，所述针尖层的第一端凸出于所述第一主体层和所述第二主体层的端部；释放所述探针，对所述针尖层的第一端进行打磨塑形，形成针尖。本方案的探针制备方法可提高探针针尖的居中性、提高探针寿命，降低制造成本。

公开(公告)号：CN118818112A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410819076.0

申请日：2024-06-24

Applicant: 强一半导体(上海)有限公司

Inventor： 王兴刚 ,  印体健 ,  于海超

IPC: G01R3/00 ,  G01R31/28

Abstract: 本发明属于微电子工程技术领域，具体涉及MEMS制造过程中的一种高密度垂直探针卡探针及其加工方法。所述探针包括针体、从针体一端延伸出的针尾和从针体另一端延伸出的针尖，所述针体外表面为绝缘层，所述针尾外表面为Au镀层，所述针尖外表面为Pd‑Ni合金层。本发明提供的技术方案针尾镀金，有利于增加针卡的信号传输，减少故障率；电镀Pd‑Ni层作为阻挡层，减少探针中的铜扩散到探针表面，影响针尾镀金处的探针接触；针臂的绝缘层可大幅减少pitch距离在80μm区域的探针出现短路的现象；针尖处裸露Pd‑Ni合金层，可防止探针的Cu元素扩散至探针表面从而出现氧化等问题。