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公开(公告)号：CN105431374A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201480032151.3
申请日：2014-05-23
Applicant: 应美盛股份有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81C1/00984 , B81B3/0008 , B81B2207/015 , B81C1/00976 , B81C2201/115 , H01L21/76838 , H01L23/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的方法包含通过为在形成于衬底上的缓冲块上收集的电荷提供导电路径来减少MEMS装置的黏滞力。所述缓冲块通过在所述衬底上沉积且图案化介电材料形成，且所述导电路径由沉积在所述缓冲块上的导电层提供。所述导电层还可以经粗糙化以减少黏滞力。
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公开(公告)号：CN105431374B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201480032151.3
申请日：2014-05-23
Applicant: 应美盛股份有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81C1/00984 , B81B3/0008 , B81B2207/015 , B81C1/00976 , B81C2201/115 , H01L21/76838 , H01L23/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的方法包含通过为在形成于衬底上的缓冲块上收集的电荷提供导电路径来减少MEMS装置的黏滞力。所述缓冲块通过在所述衬底上沉积且图案化介电材料形成，且所述导电路径由沉积在所述缓冲块上的导电层提供。所述导电层还可以经粗糙化以减少黏滞力。
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