公开(公告)号：CN103907403A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201280053078.9

申请日：2012-10-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴纳 ,  W·比沙拉 ,  R·贾尔 ,  V·托多罗 ,  D·卢博米尔斯基 ,  K·坦蒂翁

IPC: H05H1/46 ,  H01F38/14 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: 一种等离子体处理设备可包括：处理腔室；第一RF线圈、第二RF线圈及第三RF线圈；至少一个铁氧体遮罩(ferrite？shield)。该处理腔室具有内部处理容积；该第一RF线圈、该第二RF线圈及该第三RF线圈接近处理腔室设置以将RF能量耦合至处理容积中，其中第二RF线圈相对于第一RF线圈同轴地设置，且其中第三RF线圈相对于第一RF线圈及第二RF线圈同轴地设置；该至少一个铁氧体遮罩接近第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈中的至少一个设置，其中铁氧体遮罩经配置以局部导引通过RF电流产生的磁场，该RF电流经由第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈流向处理腔室，其中等离子体处理设备经配置以控制流经第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈中的每一个的每一RF电流的相位。