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公开(公告)号：CN107221487B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201710469815.8
申请日：2014-02-03
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/45561 , C23C16/45578 , C23C16/4558 , H01J37/32082
Abstract: 一种等离子体反应器的环形盖板具有上层及下层气体分配通道，该等气体分配通道沿着相等长度路径从气体供应接线分配气体至顶部气体喷嘴的各自的气体分配通道。
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公开(公告)号：CN105409332B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201480040981.0
申请日：2014-08-28
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供电感耦合式等离子体(ICP)反应器的实施例。在一些实施例中，用于电感耦合式等离子体反应器的电介质窗包括：主体，该主体包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、边缘和中心，其中，该电介质窗具有在空间上变化的介电系数。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：工艺腔室，具有处理容积，该处理容积设置在该工艺腔室的盖的下方；以及一个或多个电感线圈，这些电感线圈设置在盖上方以将RF能量感性地耦合至设置在处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中，并在该处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中形成等离子体；其中，该盖是电介质窗，该电介质窗包括第一侧与相对的第二侧，该第二侧面向处理容积；并且其中，该盖具有在空间上变化的介电系数，以将对RF能量的变化的功率耦合从一个或多个电感线圈提供至处理容积。
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公开(公告)号：CN103891417B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201280051755.3
申请日：2012-10-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/24 , H05H1/28 , H01L21/205
Abstract: 于此提供一种用于处理基板的设备。于一些实施例中，设备包含：第一导电本体，绕处理腔室的内部容积中的基板支撑件而设置；第一导电环，具有内缘及外缘，该内缘耦接至第一导电本体的第一端，该外缘自内缘径向向外而设置；第二导电本体，耦接至第一导电环的外缘，并具有至少一部分设于第一导电环上，其中第二导电环的至少一部分和第一导电环部分地界定第一导电环上的第一区域；及加热器，经配置成加热第一导电本体、第二导电本体及第一导电环。
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公开(公告)号：CN107424901A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710705541.8
申请日：2014-02-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 描述具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件。一种气体注入系统包括：(a)侧部气体气室；(b)耦接于所述侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从所述气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，所述N通道气体流率控制器具有分别耦接于所述N个气体入口的N个输出；及(e)M通道气体流率控制器，所述M通道气体流率控制器具有M个输出，所述M个输出的个别一者耦接于所述可调整的气体喷嘴与所述N通道气体流率控制器的气体输入。
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公开(公告)号：CN106304597A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610852971.8
申请日：2014-02-03
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45561 , C23C16/45563 , C23C16/45578 , H01J37/3244 , H05H1/34
Abstract: 描述具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件。一种气体注入系统包括：(a)侧部气体气室；(b)耦接于所述侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从所述气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，所述N通道气体流率控制器具有分别耦接于所述N个气体入口的N个输出；及(e)M通道气体流率控制器，所述M通道气体流率控制器具有M个输出，所述M个输出的个别一者耦接于所述可调整的气体喷嘴与所述N通道气体流率控制器的气体输入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105409332A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480040981.0
申请日：2014-08-28
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32119 , H01J37/321 , H01J37/3211
Abstract: 本文提供电感耦合式等离子体(ICP)反应器的实施例。在一些实施例中，用于电感耦合式等离子体反应器的电介质窗包括：主体，该主体包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、边缘和中心，其中，该电介质窗具有在空间上变化的介电系数。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：工艺腔室，具有处理容积，该处理容积设置在该工艺腔室的盖的下方；以及一个或多个电感线圈，这些电感线圈设置在盖上方以将RF能量感性地耦合至设置在处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中，并在该处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中形成等离子体；其中，该盖是电介质窗，该电介质窗包括第一侧与相对的第二侧，该第二侧面向处理容积；并且其中，该盖具有在空间上变化的介电系数，以将对RF能量的变化的功率耦合从一个或多个电感线圈提供至处理容积。
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公开(公告)号：CN104012185A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201280062489.4
申请日：2012-10-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/34 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6833 , H01J37/32642 , H01J37/32715 , H01L21/6831 , H02N13/00 , Y10T279/23
Abstract: 本发明中提供一种处理基板的装置。在一些实施例中，一种处理基板的装置可包括：基板支座，该基板支座包含设置于该基板支座内并具有周缘及第一表面的第一电极；设置于该第一电极的该第一表面上方的基板支座表面；以及第二电极，该第二电极设置于该基板支座内并径向延伸越过该第一电极的该周缘，其中该第二电极具有第二表面，该第二表面设置于该第一电极的该第一表面周围与上方。
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公开(公告)号：CN105515450B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201610056402.2
申请日：2013-04-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H02N13/00
Abstract: 描述具有射频(RF)及温度均匀性的静电夹盘(ESC)。例如，ESC包括顶部介电层。上金属部设置于该顶部介电层之下。第二介电层设置于多个像素化的电阻式加热器之上，且所述第二介电层部分地由该上金属部所围绕。第三介电层设置于该第二介电层之下，在该第三介电层与该第二介电层之间具有边界。多个通孔设置于该第三介电层中。总线条功率分配层设置于该等多个通孔之下并且耦接于该等多个通孔。第四介电层设置于该总线条功率分配层之下，在该第四介电层与该第三介电层之间具有边界。金属底座设置于该第四介电层之下。该金属底座包括多个高功率加热器组件容纳在该金属底座中。
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公开(公告)号：CN107424901B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201710705541.8
申请日：2014-02-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 描述具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件。一种气体注入系统包括：(a)侧部气体气室；(b)耦接于所述侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从所述气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，所述N通道气体流率控制器具有分别耦接于所述N个气体入口的N个输出；及(e)M通道气体流率控制器，所述M通道气体流率控制器具有M个输出，所述M个输出的个别一者耦接于所述可调整的气体喷嘴与所述N通道气体流率控制器的气体输入。
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公开(公告)号：CN103890928B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201280051925.8
申请日：2012-10-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J37/32715 , H02N13/00
Abstract: 在此提供静电夹盘的实施例。在一些实施例中，一种用于支撑与保持具有给定宽度的基板的静电夹盘可包括：介电构件，具有支撑表面，该支撑表面被配置成支撑具有给定宽度的基板；电极，设置在该介电构件内位于该支撑表面下方，并且从该介电构件的中心向外延伸至超过该基板的外周边的区域，该外周边由该基板的该给定宽度所界定；RF电源，耦接该电极；以及DC电源，耦接该电极。
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