公开(公告)号：CN1822337A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610001186.8

申请日：2006-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蕾扎·阿嘎娃尼

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括在衬底上提供搀杂硅区域，并且在衬底上邻近该搀杂硅区域形成锗化硅材料。受应力氮化硅层被形成在衬底上的搀杂硅区域的至少一部分上。锗化硅层和受应力氮化硅层在衬底上的搀杂硅区域中引入应力。在一个版本中，半导体器件具有源极区域和漏极区域的晶体管，其中源极区域和漏极区域具有锗化硅材料，并且搀杂硅区域形成配置为在源极区域和漏极区域之间导通电荷的沟道。受应力氮化硅层形成在该沟道的至少一部分上，并且根据期望的器件特性可以是受拉应力或压应力的层。

公开(公告)号：CN1822337B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200610001186.8

申请日：2006-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蕾扎·阿嘎娃尼

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括在衬底上提供搀杂硅区域，并且在衬底上邻近该搀杂硅区域形成锗化硅材料。受应力氮化硅层被形成在衬底上的搀杂硅区域的至少一部分上。锗化硅层和受应力氮化硅层在衬底上的搀杂硅区域中引入应力。在一个版本中，半导体器件具有源极区域和漏极区域的晶体管，其中源极区域和漏极区域具有锗化硅材料，并且搀杂硅区域形成配置为在源极区域和漏极区域之间导通电荷的沟道。受应力氮化硅层形成在该沟道的至少一部分上，并且根据期望的器件特性可以是受拉应力或压应力的层。

公开(公告)号：CN100452318C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200610000510.4

申请日：2006-01-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蕾扎·阿嘎娃尼 ,  迈克尔·丘·宽 ,  夏立群 ,  尹康素

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明公开了一种用于通过利用PECVD工艺在栅极结构上沉积一个或多个含硅材料层以产生总k值在约3.0到约5.0之间的隔片，从而在栅极叠层上形成侧壁隔片的方法。含硅材料可以是碳化硅、掺氧的碳化硅、掺氮的碳化硅、掺碳的氮化硅、掺氮的碳氧化硅或其组合。沉积在等离子体增强化学气相沉积室中执行，并且沉积温度小于450℃。这样产生的侧壁隔片提供了好的容性电阻以及优秀的结构稳定性和密封性。

公开(公告)号：CN1822330A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610000510.4

申请日：2006-01-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蕾扎·阿嘎娃尼 ,  迈克尔·丘·宽 ,  夏立群 ,  尹康素

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明公开了一种用于通过利用PECVD工艺在栅极结构上沉积一个或多个含硅材料层以产生总k值在约3.0到约5.0之间的隔片，从而在栅极叠层上形成侧壁隔片的方法。含硅材料可以是碳化硅、掺氧的碳化硅、掺氮的碳化硅、掺碳的氮化硅、掺氮的碳氧化硅或其组合。沉积在等离子体增强化学气相沉积室中执行，并且沉积温度小于450℃。这样产生的侧壁隔片提供了好的容性电阻以及优秀的结构稳定性和密封性。