公开(公告)号：CN117761401A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311774483.6

申请日：2023-12-20

Applicant: 广电计量检测(成都)有限公司 ,  广电计量检测集团股份有限公司

Inventor： 钱俊祺 ,  陈子鸿

IPC: G01R27/08 ,  G01R1/04

Abstract: 本发明公开一种单颗晶圆的通态电阻测量装置及方法，包括：单颗晶圆、若干根探针、载物单元以及若干根插线；所述若干根探针分别与所述单颗晶圆的电极连接；所述载物单元包括第一分载物台以及第二分载物台，且所述第一分载物台与第二分载物台相互隔离；所述若干根插线分别与所述载物单元连接，且所述第一分载物台以及第二分载物台分别至少与一根所述插线连接；所述单颗晶圆分别与所述第一分载物台以及第二分载物台接触。本发明能够提高单颗晶圆通态电阻的测量精度。

公开(公告)号：CN119823717A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411950627.3

申请日：2024-12-27

Applicant: 广电计量检测集团股份有限公司

Inventor： 赵巍 ,  崔建刚 ,  钱俊祺 ,  刘飞

IPC: C09K3/14 ,  B24D15/04 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明公开了一种研磨用组合物及其在去除半导体芯片氮化钛层的应用，所述一种研磨用组合物包括如下质量份的组分：100份水、3‑10份氮化钛、3‑10份金属氧化物。本发明提供了一种研磨用组合物，主要由水、氮化钛、金属氧化物组成，通过使用与被研磨样品相同材质颗粒做成的研磨液，可以确保研磨液与被研磨样品的亲和力，从而提高研磨效率和均匀性，实现纳米级厚度氮化钛层的均匀去除，相比于现在的酸反应消除液腐蚀氮化钛层，本发明的研磨液用水不会产生腐蚀不均匀的问题，从而实现了单颗芯片纳米级厚度氮化钛层的均匀去除。