一种晶圆样品的聚焦离子束超薄切片制样预处理方法

    公开(公告)号:CN119437843A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411860552.X

    申请日:2024-12-17

    Abstract: 本发明涉及一种晶圆样品的聚焦离子束超薄切片制样预处理方法,属于晶圆材料显微实验技术领域。本发明提供的晶圆样品制样预处理方法包括:(1)采用原子层沉积技术在晶圆样品表面沉积金属氧化物,得到ALD层;(2)在ALD层表面涂覆固化胶溶液、固化,得到固化胶层;(3)在固化胶层的表面镀导电保护层,完成制样预处理。本发明的制样预处理方法能够很好解决聚焦离子束超薄切片制样中,不耐电子束辐照精细结构发生辐照辐照损伤、精细结构变形,以及切割过程中的窗帘效应、拍摄过程中的结构界限不明显等问题,在晶圆材料显微实验技术领域,有很高的实用价值。

    一种用于热阻测量的固定装置

    公开(公告)号:CN222784527U

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202421132683.1

    申请日:2024-05-22

    Abstract: 本实用新型涉及一种用于热阻测量的固定装置,包括设置有散热结构的底座和安装于底座上的固定组件;固定组件包括安装于底座上的固定座、安装于固定座上的盖板和安装于盖板上的压紧机构;固定座和底座围成用于容纳半导体器件的空腔,盖板盖合空腔;压紧机构包括多个均匀分布于盖板上的压紧件和安装于压紧件靠近底座一端的压力传感器;压紧件与盖板活动连接且可调节压紧件与底座的距离。压紧件均匀分布在盖板上,给予半导体器件多个不同位置的压力同时这些压力均布在半导体器件的表面,测试过程中半导体器件表面压力均匀,提高了测试结果的准确性与可重复性。

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