公开(公告)号：CN119437843A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411860552.X

申请日：2024-12-17

Applicant: 广电计量检测(无锡)有限公司

Inventor： 陈振 ,  明志茂 ,  陆裕东 ,  储程晨 ,  刘辰 ,  韦卫 ,  冯英鹏 ,  陈军

IPC: G01N1/28 ,  G01N23/20008 ,  G01N23/04

Abstract: 本发明涉及一种晶圆样品的聚焦离子束超薄切片制样预处理方法，属于晶圆材料显微实验技术领域。本发明提供的晶圆样品制样预处理方法包括：(1)采用原子层沉积技术在晶圆样品表面沉积金属氧化物，得到ALD层；(2)在ALD层表面涂覆固化胶溶液、固化，得到固化胶层；(3)在固化胶层的表面镀导电保护层，完成制样预处理。本发明的制样预处理方法能够很好解决聚焦离子束超薄切片制样中，不耐电子束辐照精细结构发生辐照辐照损伤、精细结构变形，以及切割过程中的窗帘效应、拍摄过程中的结构界限不明显等问题，在晶圆材料显微实验技术领域，有很高的实用价值。