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公开(公告)号：CN118409179A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410555827.2
申请日：2024-05-07
Applicant: 浙江大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
Abstract: 本发明涉及半导体测试技术领域中的一种压接型IGBT器件的测试装置，包括下压组件、定位组件以及滑动设置于定位组件上的第一压板、第二压板，且第一压板与第二压板相对设置，定位组件固定安装在支撑台上，下压组件固定在定位组件上，并驱动第一压板在定位组件上滑动，第一压板和第二压板相对的端面上均设置有冷却组件，且压接型IGBT器件设置于第二压板上的冷却组件上，冷却组件的进出口流道为漏斗型设置，解决了现有压接型IGBT器件测试工装中，夹具的散热水冷板因采用圆形截面流道而使得流道和流道壁面存在散热不均匀性，进而导致测试结果准确性的问题。
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公开(公告)号：CN118707282A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410806231.5
申请日：2024-06-21
Applicant: 浙江大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域，公开一种基于IGBT饱和压降拐点的结温检测方法，包括以下步骤：根据不同结温下的饱和压降和集电极电流信息，获得IGBT饱和压降拐点电压和拐点电流信息；根据拐点电压和拐点电流信息，获得等效压降；建立数据库，该数据库包括等效压降、集电极电流、结温的对应关系；根据测得的饱和压降、集电极电流、以及所述拐点电压和拐点电流信息，获得等效压降，再根据等效压降、集电极电流信息在所述数据库中获得对应的结温数据。本发明的方法可以消除IGBT饱和压降测量值中连接件阻抗所造成的误差，有效提高IGBT在线结温检测的精度。
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公开(公告)号：CN118707280A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410798041.3
申请日：2024-06-20
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种压接式IGBT模块的热阻测量方法，属于压接式IGBT模块器件测试技术领域，包括如下步骤：构造与待测压接式IGBT模块适配的测试铜板；根据待测压接式IGBT模块和测试铜板，构造第一测试IGBT模块；在双面散热条件下，测定第一测试IGBT模块的结构函数曲线；根据待测压接式IGBT模块和测试铜板，构造第二测试IGBT模块；在双面散热条件下，测定第二测试IGBT模块的结构函数曲线；根据第一测试IGBT模块的结构函数曲线及第二测试IGBT模块的结构函数曲线，得到待测压接式IGBT模块的热阻数据。本申请通过构造并将适配的测试铜块设置在待测压接式IGBT模块的集电极上，以将双界面法拓展到了压接IGBT双面散热的情况，缩短了测量结壳热阻的时间。
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公开(公告)号：CN118759333A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410757838.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种压接型IGBT单芯片温敏参数的测量装置及测量方法，属于芯片技术领域，解决了在不破坏单芯片封装的基础上，得到准确的芯片温度对应的温敏参数值，缩短温敏参数的测量时间的问题。包括上散热流道、下散热流道、设置于上散热流道和下散热流道之间的集电极金属板和发射极金属板、以及单芯片，所述单芯片设置于集电极金属板和发射极金属板之间，所述上散热流道与集电极金属板之间绝缘设置，所述发射极金属板与下散热流道之间亦绝缘设置，所述单芯片耦接有贯穿集电极金属板和上散热流道至外界的光纤温度传感器。本发明缩短温敏参数的测量时间，节约成本。
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公开(公告)号：CN118707279A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410793682.X
申请日：2024-06-19
Applicant: 浙江大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种大电流下热响应系数标定和结温推算方法，属于半导体技术领域，解决了TSP标定一般只有条件在初始条件下进行一次，在剩余的整个寿命周期中仅能依靠初次标定的TSP值进行功率器件核心结温的推算的问题。包括如下步骤，步骤1、在特定电流或电压条件下标定一组功率器件的TSP值与温度的对应关系待用；步骤2、功率器件实际工作中，使用与标定条件相同的电流或电压条件测定TSP值；步骤3、利用特定的线性组合，消除内部连接件阻抗(Rcon)的影响，利用实际测试的TSP值获得虚拟TSP值，推算核心结温。本发明可以消除功率器件内部连接件老化的对TSP测量值的影响，从而使单次标定值在整个功率器件寿命周期中都能为结温推算提供准确的参考。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118656574A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410798070.X
申请日：2024-06-20
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 浙江大学
Abstract: 本发明涉及器件检测技术领域中的一种基于PSO拟合的结构函数获取方法、系统，包括以下步骤：获取待测器件的降温特性曲线；构建目标初始函数，并基于粒子群寻优算法寻找与降温特性曲线最接近的最优热阻和最优热容，得到一次粒子群寻优算法拟合的目标函数；重复进行粒子群寻优算法拟合，并与一次粒子群寻优算法拟合的目标函数进行整合，得到目标完整阶数函数；基于所述目标完整阶数函数所得到的热阻参数和热容参数，构建Foster热阻网络；将Foster热阻网络转换为Cauer热阻网络，并按照热量传导方向分写对热阻和热容进行累加，获得积分式结构函数曲线，解决了曲线拟合方法在拟合阶数较高后，所出现的因数据存储精度以及算法精度引起的参数不正常问题。
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公开(公告)号：CN113341294A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110704304.6
申请日：2021-06-24
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置结构，涉及晶圆级测试技术，通过控制使得与待测开关元器件并联的一开关元器件导通，则该导通的开关元器件的第一电极与第二电极电连通，则待测开关元器件的第一电极与该导通的开关元器件的第二电极电连通，第二探针接触该导通的开关元器件的第二电极相当于接触待测开关元器件的第一电极，同时第一探针接触待测开关元器件的第二电极，如此可通过第一探针和第二探针测试待测开关元器件的电气特性，因第一探针和第二探针为分别与待测开关元器件和该导通的开关元器件的第二电极对应的探针，因此缩短了待测开关元器件的电气特性测试路径，大大减小了寄生电感，且无需改变测试装置的结构。
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公开(公告)号：CN112968500A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110344295.4
申请日：2021-03-31
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
Abstract: 本发明涉及电池模组端电压调节电路，涉及电源领域，包括：交流整流单元，其输入端接收交流电，输出端连接直流母线，用于将所述交流电变换为直流母线电压；电池充放电单元，其第一端连接所述直流母线，第二端连接电池模组，用于将所述第一端的所述直流母线电压变换为所述第二端的直流电压而为电池模组充电，或将所述第二端的直流电压变换为所述第一端的所述直流母线电压；以及耗能放电单元，连接所述直流母线，电池模组通过所述电池充放电单元和所述耗能放电单元放电，以使设计简单，且可标准化。
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公开(公告)号：CN113341294B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202110704304.6
申请日：2021-06-24
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置结构，涉及晶圆级测试技术，通过控制使得与待测开关元器件并联的一开关元器件导通，则该导通的开关元器件的第一电极与第二电极电连通，则待测开关元器件的第一电极与该导通的开关元器件的第二电极电连通，第二探针接触该导通的开关元器件的第二电极相当于接触待测开关元器件的第一电极，同时第一探针接触待测开关元器件的第二电极，如此可通过第一探针和第二探针测试待测开关元器件的电气特性，因第一探针和第二探针为分别与待测开关元器件和该导通的开关元器件的第二电极对应的探针，因此缩短了待测开关元器件的电气特性测试路径，大大减小了寄生电感，且无需改变测试装置的结构。
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公开(公告)号：CN117674546A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311588909.9
申请日：2023-11-27
IPC: H02M1/00 , H02M1/088 , H02M7/48 , H02M7/5395 , G06N5/01
Abstract: 本发明提供一种针对单相混合器件逆变器控制自适应损耗的方法，所述单相逆变器包括由第一、第二开关器件所组成的混合功率器件，所述单相逆变器还包括混合调控模块；所述混合调控模块通过如下步骤实现逆变器控制自适应损耗控制：步骤一、对混合功率器件模块依照逆变器的工作条件进行参数设定，步骤二、通过粒子编码方式将混合功率器件模块的时间(0，T/4)的区间均匀分成K个维度，步骤三：将逆变器自身损耗，即逆变器输入功率与输出功率之差为目标模型、将延时时间t作为自变量，导入模拟退火算法，运用模拟退火算法对逆变器进行控制；该方法通过对单相逆变器自动优化其内部的延时时间有效控制，提高逆变器的使用效率。
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